, растворов , расплавов , из вещества в другом кристаллическом или аморфном состоянии.
Кристаллизация начинается при достижении некоторого предельного условия, например, переохлаждения жидкости или пересыщения пара, когда практически одновременно возникают во множестве мелкие кристаллики- "зародыши", центры кристаллизации. Микрористаллики растут за счёт присоединения к своей поверхности новых атомов или молекул из окружающего расплава, жидкости или пара. Рост граней кристалла происходит послойно, края незавершенных атомных слоев (ступени роста) при кристаллизации продвигаются вдоль грани последовательными фронтами один за другим. В зависимости от скорости роста и условий процесс кристаллизации приводит к формированию разнообразных форм роста (многогранные, уплощённые, игольчатые, нитевидные , скелетные , дендритные и другие формы) и внутренних структур кристаллов (зональные, секториальные, блочные и др. структуры). При быстрой кристаллизации неизбежно возникают различные внутренние дефекты кристаллической решетки .
Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растет, то он находится в термодинамическом равновесии с маточной средой (расплавом, раствором или паром). Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при температуре плавления, а равновесие с раствором и паром - если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды - необходимое условие для роста находящегося в ней кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от РТ-условий равновесия.
Кристаллизация - фазовый переход вещества из состояния переохлажденной (пересыщенной) маточной среды в кристаллическое химическое соединение с меньшей свободной энергией. Избыточная энергия, образующаяся при кристаллизации, выделяется в виде скрытой теплоты. Часть этой теплоты может превращаться в механическую работу. Например, растущий кристалл может поднимать положенный на него груз, развивая Кристаллизационное давление (будучи разным для разных минералов, оно в отдельных случаях может оцениваться в десятки кг/см 2). В частности, антолиты такого мягкого минерала, как гипс , могут поднимать куски породы массой в несколько кг. Широко известен также пример с антолитами льда , способными раздвигать мёрзлый грунт или поднимать тяжёлые предметы. А кристаллы солей, образующиеся в трещинах бетонных плотин в морской воде, иногда вызывают разрушение бетона.
Переохлажденная среда может долго сохранять, не кристаллизуясь, неустойчивое метастабильное состояние. Однако при достижении некоторого предельного для данных условий критического переохлаждения среды в ней мгновенно возникает множество мелких кристалликов-зародышей. Возникшие кристаллики растут и, если переохлаждение уменьшается, новые зародыши, как правило, больше не возникают. Многое зависит также от присутствия энергетически активных фаз или частиц, могущих играть роль "затравок", провоцирующих начало кристаллизации.
Плазмы, а также из аморфных веществ или кристаллов другой структуры. В процессе кристаллизации атомы, молекулы или ионы вещества выстраиваются в кристаллическую решётку. Кристаллизация является неравновесным фазовым переходом 1-го рода. Условия равновесия кристалла со средой (расплавом, паром, раствором и др.) определяются как фазовое равновесие агрегатных состояний вещества при фазовых переходах 1-го рода: равенство температуры, давления и химического потенциала. Необходимое условие роста кристалла - отклонение от равновесия, определяемое переохлаждением (отличием температуры от равновесной) и пересыщением (отличием давления или концентрации от равновесных значений). Термодинамическая движущая сила фазового перехода тем выше, чем больше отклонение от равновесия. Переход вещества в кристаллическую фазу сопровождается выделением скрытой теплоты кристаллизации, и при неполном отводе этой теплоты возможно уменьшение отклонения от равновесия и замедление процесса. Как фазовый переход 1-го рода кристаллизации сопровождается скачком удельного объёма по отношению к исходной фазе, и это может приводить к изменению давления в кристаллизующейся системе. Таким образом, кристаллизация - это сложный процесс тепломассопереноса, который управляется термодинамическими и кинетическими факторами. Многие из них трудно контролировать. Уровень чистоты, температура и концентрация компонентов в непосредственной близости к фазовой границе, перемешивание, теплообмен могут быть главными факторами, определяющими размер, число и форму возникающих кристаллов.
Центры кристаллизации . Процесс кристаллизации состоит из двух стадий: зарождение центров кристаллизации и рост кристаллов. Начальная стадия - зарождение центров кристаллизации - представляет собой образование кластеров с характерной для кристалла упорядоченностью. Но иногда их структура может отличаться от структуры устойчивого макроскопического кристалла. Образование таких кластеров в чистых жидкостях или газах происходит ниже температуры плавления массивного кристалла в результате случайных столкновений при тепловом движении атомов или молекул. При температурах ниже равновесной объединение частиц в кристаллический кластер термодинамически выгодно, но появление его новой поверхности требует затраты энергии, что является препятствующим фактором при зарождении центров кристаллизации. Чем меньше кластер, тем большая доля частиц составляет его поверхность. Поэтому при малых размерах большинство кластеров распадается вследствие флуктуаций колебательной энергии частиц. С ростом кластера доля поверхностной энергии уменьшается по отношению к объёмной энергии объединения частиц, что повышает устойчивость кластера. При заданном пересыщении существует критический размер, при превышении которого кластеры способны к дальнейшему росту и становятся центрами кристаллизации.
Численной характеристикой интенсивности зарождения центров кристаллизации является частота зародышеобразования (нуклеации) - число центров, возникающих в единицу времени в единице объёма среды. Существующая теория объясняет температурную зависимость частоты нуклеации и связывает её с параметрами среды, в которой идёт образование центров кристаллизации. Для жидкостей с малой вязкостью, например для большинства расплавленных металлов, теория предсказывает большие переохлаждения, при которых должно наблюдаться спонтанное зарождение центров кристаллизации. При дальнейшем увеличении переохлаждения частота нуклеации быстро возрастает, достигая максимума при температуре, приблизительно равной одной трети температуры равновесия кристалла с расплавом. Быстрый спад частоты зарождения центров кристаллизации при ещё более низких температурах обусловлен замедлением теплового движения и сильным возрастанием вязкости. Для более вязких жидкостей максимум частоты сдвинут в сторону более низких переохлаждений и сами значения частоты значительно ниже.
Поскольку многие параметры теории известны с недостаточной для расчётов точностью, важную роль играют экспериментальные данные. Приближение к идеальным условиям достигается использованием в опытах малых капель жидкостей диаметром от нескольких микрометров до нанометров. При спонтанном зарождении требуются большие отклонения от равновесия, а центры кристаллизации характеризуются критическим размером порядка одного нанометра. Например, для расплавов чистых металлов наблюдаемая в опытах температура спонтанного зарождения центров кристаллизации составляет 30-50% от температуры плавления. Многие силикатные расплавы при охлаждении вообще затвердевают без кристаллизации, образуя стёкла. Экспериментально показано, что в вязких жидкостях процесс зарождения центров кристаллизации нестационарен. Это означает, что характерная для заданного отклонения от равновесия частота зарождения центров кристаллизации появляется только по истечении времени запаздывания, которое может быть достаточно большим, сравнимым или даже превышающим время охлаждения образца. Металлические расплавы характеризуются значительно меньшей вязкостью, и подавление спонтанного зарождения центров кристаллизации для некоторых сплавов возможно лишь при очень быстром охлаждении (со скоростью свыше 10 6 К/с). Это лежит в основе технологии получения аморфных металлов. Стабильность аморфного состояния обеспечивается сильным замедлением обмена атомами между кристаллом и средой при низких температурах. Наблюдать кристаллизацию полученного таким образом аморфного состояния можно при нагревании, увеличивая интенсивность теплового движения, а выделяющаяся при этом скрытая теплота фазового перехода может существенно интенсифицировать процесс, дополнительно повышая температуру. Для некоторых веществ (германий, кремний, аморфный лёд) наблюдается взрывная кристаллизация аморфного состояния.
В загрязнённых средах центры кристаллизации возникают на посторонних кристаллических частицах при гораздо меньших отклонениях от равновесия. Частота зарождения центров кристаллизации в таких случаях зависит также от материала стенок сосуда, действия излучений. Зародышевые кристаллы на хорошо смачивающейся ориентирующей поверхности имеют приблизительно куполообразную форму, затратная доля поверхностной энергии у них меньше по сравнению с объёмным выигрышем при агрегировании частиц в такой кристаллик. Поэтому такое гетерогенное зарождение центров кристаллизации происходит при меньших переохлаждениях. Контролируемое гетерогенное зарождение центров кристаллизации используется, например, при эпитаксиальном получении монокристаллических плёнок. При выращивании на затравочном центре кристаллизации крупных совершенных монокристаллов, содержащих минимально возможное число дефектов, необходимо избегать появления спонтанных зародышей. Для этого используют небольшое отклонение от условий равновесия. В металлургии при получении кристаллических материалов стремятся получить максимальное число центров кристаллизации, для чего создают глубокое переохлаждение расплавов.
Механизмы роста кристаллов.
В зависимости от того, какой является поверхность кристалла в атомном масштабе - гладкой или шероховатой, различают два механизма роста кристаллов: послойный и нормальный. Атомно-гладким поверхностям обычно отвечают наиболее развитые грани с простыми кристаллографическими индексами. Они содержат сравнительно небольшое число дефектов: вакансий и адсорбированных атомов. Края незавершённых атомных плоскостей образуют ступени (рис. 1), которые, в свою очередь, имеют небольшое число изломов. Элементарный акт роста кристалла состоит в присоединении новой частицы к излому и не меняет поверхностную энергию. Последовательное присоединение частиц к излому приводит к его движению вдоль ступени, а ступени по поверхности - такой рост называется послойным. Плотность ступеней при послойном росте зависит от механизма их генерации. Ступени могут возникать в результате образования и роста двумерных зародышей. Процесс образования двумерных зародышей, способных к дальнейшему росту на атомно-гладкой поверхности, имеет некоторую аналогию с образованием центров кристаллизации в жидкости. Двумерный зародыш также имеет критический размер, начиная с которого он способен к дальнейшему росту. При агрегировании двумерного зародыша препятствующим фактором его развития при малых размерах является затрата работы на линейную энергию его периметра. Но с ростом размера доля линейной энергии периметра становится всё меньше, и, начиная с некоторого критического размера, двумерный зародыш становится центром роста новой ступени. Частота образования двумерных зародышей очень мала при малых отклонениях от равновесия, соответственно мала и скорость роста, определяемая двумерным зародышеобразованием. Заметные скорости роста при таком механизме образования ступеней начинаются при ощутимом переохлаждении и очень сильно (экспоненциально) возрастают при его увеличении. Другой механизм генерации ступеней связан с винтовыми дислокациями. Если кристалл содержит винтовую дислокацию, то его рост происходит путём присоединения атомов к торцу ступени, оканчивающейся на дислокации (рис. 2, а). При росте на винтовой дислокации ступень приобретает спиральную форму (рис. 2, б), а заметная скорость роста увеличивается с переохлаждением по квадратичному закону и наблюдается уже при малых отклонениях от равновесия.
На атомно-шероховатых поверхностях (рис. 3) плотность изломов велика и присоединение новых частиц к кристаллу происходит практически в любой точке его поверхности. Такой рост называется нормальным. Его скорость линейно увеличивается с переохлаждением. Теория роста кристалла связывает плотность упаковки поверхности кристалла с энергией связи между частицами поверхности кристалла и теплотой кристаллизации. Считается, что если энергия связи достаточно велика, все плотноупакованные грани - гладкие. Это характерно для кристаллов, растущих из пара. Теплота кристаллизации расплавов, как правило, значительно ниже, чем теплота кристаллизации из пара, поэтому и энергия связи частиц в кристалле по сравнению с расплавом меньше, чем по сравнению с паром. В связи с этим поверхность кристалла, растущего из расплава, обычно шероховатая, что определяет нормальный рост и формирование округлённых граней. Переход от шероховатости к огранению возможен при изменении концентрации в двухкомпонентных системах при росте кристалла из раствора. В кристаллах германия и кремния, растущих из расплава, можно наблюдать сосуществование плоских и округлённых граней.
Формы роста кристаллов определяются анизотропией их свойств и условиями тепломассопереноса в процессе кристаллизации. Кристаллы с шероховатыми поверхностями имеют обычно округлую форму. При выращивании таких кристаллов из-за большой скорости поверхностных процессов переохлаждение на границе с расплавом мало и растущая поверхность повторяет форму изотермы температурного поля в системе при температуре равновесия. Атомно-гладкие поверхности проявляются в виде граней. Равновесная форма кристаллического многогранника такова, что расстояние от центра до каждой грани пропорционально величине её поверхностной энергии. Равновесная форма является и стационарной формой роста, но в реальном процессе роста она может быть сильно искажена из-за неустойчивости поверхности роста при конечном (а не бесконечно малом) переохлаждении, влиянии примесей.
Если расплав сильно переохлаждён и температура в расплаве убывает по мере удаления от фронта роста, то рост неустойчив: случайно возникший на поверхности кристалла выступ попадает в область большего переохлаждения, и скорость его роста увеличивается. Такая неустойчивость для плоского фронта кристаллизации ведёт к образованию полосчатой или ячеистой структуры кристалла (рис. 4). При росте маленького кристалла эта неустойчивость проявляется, начиная с некоторого размера кристалла. На нём развиваются выступы, и он приобретает скелетную или дендритную форму, которая характеризуется появлением вторичных ветвей после достижения первичным выступом критической длины (рис. 5). Рост больших огранённых кристаллов из неподвижного раствора может быть также неустойчив. Пересыщение в этом случае выше у вершин и рёбер кристалла и меньше в центральных частях грани. Поэтому вершины становятся ведущими источниками роста слоёв. При большой разности пересыщений на вершинах и в центрах граней вершины обгоняют центры граней, и возникает скелетная форма кристалла (рис. 6). При заданной температуре в двухкомпонентной системе равновесие может существовать при разных составах кристалла и расплава. При росте кристалла один из компонентов скапливается перед фронтом, вызывая концентрационное переохлаждение, и это часто приводит к неустойчивости фронта роста.
Разные грани кристалла при росте захватывают разные количества примесей, содержащихся в среде. Так возникает его секториальное строение. Если кристалл плохо захватывает примесь, происходит её накопление перед фронтом роста. Периодический захват этого пограничного слоя растущим кристаллом приводит к формированию зонарной структуры (рис. 7). Захват примесей приводит к изменению параметров кристаллической решётки, и на границах областей разного состава возникают внутренние напряжения, что приводит к образованию дислокаций и трещин. Дислокации возникают в результате релаксации упругих напряжений в неравномерно нагретом кристалле или могут переходить из затравки в выращиваемый кристалл.
Массовая кристаллизация - одновременный рост множества кристаллов, широко используемый в промышленности. Свойства слитков и отливок при кристаллизации металлургических расплавов в сильной степени зависят от количества центров кристаллизации и условий их роста. При затвердевании отливок металлов центры кристаллизации появляются вначале на охлаждаемых стенках изложницы, куда заливают расплавленный металл. Из хаотически ориентированных кристаллов выживают те, которые растут перпендикулярно стенке. Они формируют столбчатую зону вблизи стенки. Конвекционные потоки в расплаве могут обламывать ветви дендритов, поставляя в расплав вторичные центры кристаллизации. Массовая кристаллизация в растворах начинается на гетерогенных центрах кристаллизации или на специально введённых затравочных кристаллах. Столкновения этих кристалликов между собой и со стенками сосуда в перемешиваемом растворе дают начало вторичным центрам кристаллизации. Для создания дополнительных центров кристаллизации используют УЗ-дробление растущих кристаллов или добавки поверхностно-активных веществ. Массовая кристаллизация используется также для очистки веществ от примесей.
Применение кристаллизации. В природе кристаллизация приводит к образованию минералов, льда, играет важную роль во многих биологических процессах. Кристаллизация происходит также при некоторых химических реакциях, в процессе электролиза. Она лежит в основе многих технологических процессов: в металлургии, при получении материалов для электроники, оптики. Путём кристаллизации получают массивные монокристаллы и тонкие плёнки. Кристаллизация широко используется в химической, пищевой, медицинской промышленности: в технологии очистки веществ, при производстве соли, сахара, лекарств.
Лит.: Шубников А. В. Образование кристаллов. М.; Л., 1947; Леммлейн Г. Г. Морфология и генезис кристаллов. М., 1973; Лодиз Р. А., Паркер Р. Л. Рост монокристаллов. М., 1974; Проблемы современной кристаллографии. М., 1975; Современная кристаллография. М., 1980. Т. 3; Чернов А. А. Физика кристаллизации. М., 1983; Гегузин Я. Е., Кагановский Ю. С. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. М., 1984; Скрипов В. П., Коверда В. П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных жидкостей. М., 1984; Проблемы кристаллографии. М., 1987; Чупрунов Е. В., Хохлов А. Ф., Фаддеев М. А. Кристаллография. М., 2000.
Вода является не только одним из самых необходимых, но и самых удивительных явлений на нашей планете.
Известно, что фактически все вещества, имеющие природное или искусственное происхождение способны находиться в разных агрегатных состояниях и менять их в зависимости от условий окружающей среды. И хотя ученые знают более десятка фазовых состояний, некоторые из которых можно получить только в пределах лаборатории, в природе чаще всего встречается только три подобных состояния: жидкое, твердое и газообразное. Вода может пребывать во всех трех этих состояниях, переходя из одного в другое в естественных условиях.
Вода, находящаяся в жидком состоянии имеет слабо связанные молекулы, которые пребывают в постоянном движении и пытаются сгруппироваться в структуру, но не могут сделать этого из-за тепла. В таком виде вода может принимать абсолютно любую форму, но не в состоянии самостоятельно ее удерживать. При нагревании молекулы начинают двигаться намного быстрее, они отдаляются друг от друга, а когда постепенно вода переходит в газообразное состояние, то есть превращается в водяной пар, связи между молекулами окончательно рвутся. При воздействии же на воду низких температур движение молекул сильно замедляется, молекулярные связи становятся очень прочными и молекулы, которым больше не мешает воздействие тепла, упорядочиваются в кристаллическую
структуру, имеющую шестигранную форму. Все мы видели подобные шестигранники, выпадающие на землю в виде снежинок. Процесс превращения воды в лед называется кристаллизацией или застыванием. В твердом состоянии вода надолго может сохранять любую принятую ею форму.
Процесс кристаллизации воды начинается при температуре 0 градусов по шкале Цельсия, имеющей 100 единиц. Данная измерительная система используется во многих странах Европы и в СНГ. В Америке же температуру измеряют при помощи шкалы Фаренгейта, которая обладает 180 делениями. По ней вода переходит из жидкого состояния в твердое при 32 градусах.
Однако вода не всегда замерзает при этих температурах, так очень чистую воду можно переохладить до температуры — 40 °С и она не замерзнет. Дело в том, что в очень чистой воде нет примесей, служащих основанием для построения кристаллической структуры. Примесями, к которым крепятся молекулы, могут выступать частички пыли, растворенные соли и т.д.
Особенностью воды является тот факт, что в то время как при замерзании другие вещества сжимаются, она, преобразовавшись в лед, напротив, расширяется. Происходит это потому что, когда вода переходит из жидкого состояния в твердое, расстояние между ее молекулами немного увеличивается. И поскольку лед имеет меньшую плотность, чем вода, он плавает на ее поверхности.
Говоря о замерзании воды, нельзя не упомянуть и тот интересный факт, что горячая вода застывает быстрее холодной, как бы парадоксально это не звучало. Данное явление было известно еще во времена Аристотеля, но ни знаменитому философу, ни его последователям так и не удалось разгадать эту тайну и о феномене забыли на долгие годы. Вновь о нем заговорили лишь в 1963 году, когда школьник из Танзании Эрасто Мпемба обратил внимание, что при приготовлении мороженого быстрее застывает лакомство сделанное из подогретого молока. Мальчик рассказал об этом своему учителю физики, но тот поднял его на смех. Лишь в 1969 году познакомившись с профессором физики Деннисом Осборном, юноша он смог найти подтверждение своей догадки, после совместно проведенных экспериментов. С тех пор выдвигалось много гипотез относительно этого феномена, например, что горячая вода замерзает быстрее за счет своего быстрого испарения, которое приводит к уменьшению объема воды и, как следствие, более быстрому застыванию. Но ни одна из них так и не смогла объяснить природу данного явления.
|
Александра
24.08.2017 12:05
11.03.2015 21:11
|
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
-
образование кристаллов из газа, раствора, расплава, стекла или кристалла др.
структуры (полиморфные превращения). К. состоит в укладке атомов, молекул или
ионов в кристаллическую решётку
. К. определяет образование минералов,
льда, играет важную роль в атм. явлениях, в живых организмах (образование зубной
эмали, костей, почечных камней). Путём К. получают и массивные монокристаллы,
и тонкие кристаллич. плёнки , диэлектриков и металлов. Массовая
К.- одноврем. рост множества мелких кристаллов - лежит в основе металлургии
и широко используется в хим., пищевой и медицинской промышленности.
Термодинамика кристаллизации
. Расположение частиц в кристалле упорядочено (см. Дальний и ближний порядок)
, и их энтропия S K
меньше энтропии S c в
неупорядоченной
среде (паре, растворе, расплаве). Поэтому снижение темп-ры Т
при пост.
давлении р
ведёт к тому, что химический потенциал
вещества в кристалле
становится меньше его потенциала
в исходной среде:
Здесь
- энергии взаимодействия частиц и уд. объём вещества в кристаллич. и неупорядоченном
состояниях (фазах), S K
и S С
- энтропии
. Т. о., кристаллич. фаза оказывается "выгоднее", происходит К.,
сопровождаемая выделением т.н. скрытой теплоты К.: H=T(S C -S K
)0,5-5
эВ, а также скачком уд. объёма
(фазовый переход первого рода). Если р10 4
атм, то член
в соотношении (1) мал, и притеплота
К. равна 
,
т. е. является мерой изменения энергии связи между частицами при К. [при К.
из расплава
и может иметь разл. знаки].
К. при полиморфных превращениях
(см. Полиморфизм
)может быть фазовым переходом второго рода. В случае
переходов первого рода граница раздела кристалл - среда локализована в пределах
неск. межатомных расстояний, и её уд. свободная энергия >0.
Для переходов 2-го рода
граница не локализована и
Условия(р,
Т, С к) =
(р,
Т
, С с) для каждого из компонентов кристалла и среды определяют
связь р, Т
и концентрации компонентов С
, при к-рых кристалл
находится в равновесии со средой, т. е. диаграмму состояния
вещества.
Разность
, являющаяся мерой отклонения от равновесия, наз. термодинами ч. движущей силой
К. Обычно она создаётся понижением темп-ры ниже равновесного значения Т 0
, т.е. переохлаждением системы на Т-Т 0 -Т
. Если
Т
Т 0 , то
Если давление р
паров
или концентрация С
в растворе больше равновесных значений р 0
и С 0
, то говорят об абс. пересыщении (р=р
-
р 0
или С=С-С 0
)
либо относит. пересыщении (=р/р 0
или С/С 0
).
В этом случае в разреженных парах и разведённых растворах
В процессе выращивания
монокристаллов из растворов обычно
, из паров и при хим. реакциях 1,
при конденсации молекулярных пучков 10 2 -10 4 .
К. может происходить в
результате или с участием хим. реакций. Равновесное состояние смеси газов при
возможной хим. реакции между составляющими её веществами A i
можно
обобщённо записать в виде
, где
- стехиометрич. коэф. (<0
для прямой реакции,
>0
- для обратной). В этом случае
Здесь К
- константа
равновесия реакции, р i
- (или концентрации,
если реакция протекает в растворе). В случае электролитов
Рис. 4. Кристаллографическая
плотнейшая (вверху) и пентагональная (внизу) упаковки.
Понижение темп-ры не только
уменьшает работу образования зародыша, но и экспоненциально повышает вязкость
расплава, т. е. снижает частоту присоединения новых частиц к зародышу (рис.
5, а). В результате I
(Т
)сначала достигает максимума, а затем становится столь малой (рис. 5, б)
, что при низких темп-pax расплав затвердевает, оставаясь аморфным. В расплавах
со сравнительно малой вязкостью это возможно лишь при очень быстром (10 6
К/с) охлаждении. Так получают аморфные сплавы металлов (см. Аморфные металлы)
. В жидком гелии образование зародышей возможно не переходом системы через
барьер, а туннельным просачиванием сквозь него. При выращивании крупных совершенных
кристаллов на "затравках" избегают появления спонтанных зародышей,
используя слабо пересыщенные растворы или перегретые расплавы. Наоборот, в металлургии
стремятся получить максимальное число центров К., создавая глубокие переохлаждения
(см. ниже).
Рис. 5. Температурные зависимости
скорости зарождения и роста кристалла: а) сплошные кривые - температурная зависимость
числа зародышей цитриновой кислоты в
переохлаждённом водном растворе
(темп-ры насыщения: А-62 °С, В
- 85 °С); пунктир - увеличение
вязкости (в пуазах) растворов с понижением Т;
б) скорость роста v
кристаллов бензофенона из расплава как функции Т
.
Рост кристалла
может
быть послойным и нормальным в зависимости от того, является ли его поверхность
в атомном масштабе
гладкой или шероховатой. Атомные плоскости, образующие гладкую грань, почти
полностью укомплектованы и содержат сравнительно небольшое число вакансий
и атомов, адсорбированных в местах, соответствующих узлам кристаллич. решётки
следующего слоя. Края незавершённых атомных плоскостей образуют ступени (рис.
6, в). В результате тепловых флуктуации ступень содержит нек-рое число трёхмерных
входящих углов - изломов. Присоединение новой частицы к излому не изменяет энергии
поверхности и поэтому является элементарным актом роста кристалла. С увеличением
отношения тепловой энергии kT
к поверхностной энергии
(в расчёте на 1 атомное место на поверхности) плотность изломов увеличивается.
Соответственно увеличивается конфигурац. энтропия и падает свободная линейная
энергия ступени. При определ. отношениях
(близких к 1, но несколько различных для разных граней) линейная энергия ступени
обращается в 0, и ступень "размазывается" по грани, к-рая превращается
в шероховатую, т. е. равномерно и плотно покрытую изломами поверхность (рис.
6, б)
. Связь поверхностной энергии с теплотой К. позволяет заключить,
что для веществ и темп-р, для к-рых изменение энтропии при К. таково, что S/k
>4,
все плотноупакованные грани - гладкие. Эта ситуация характерна для равновесия
кристалл - пар, а также (для нек-рых веществ) для границы кристалл -расплав.
Переход от шероховатости к огранению возможен при изменении концентрации в двухкомпонентных
системах (К. из растворов). Если S/k<2
(типично для плавления металлов), то поверхности любой ориентации шероховаты.
При 
отдельные
гладкие грани сосуществуют с шероховатыми поверхностями (напр., кристаллы Ge
и Si в расплавах, гранаты в расплавах и высокотемпературных растворах). Зависимость
свободной энергии и скорости К. от ориентации поверхности имеет острые (сингулярные)
минимумы для гладких (сингулярных) граней и округлённые (несингулярные) для
шероховатых поверхностей.
Рис. 6. Атомно-гладкая
(а
) и шероховатая (б
) поверхности (моделирование на ЭВМ).
Рис. 7. Концентрические ступени на грани (100) NaCl при росте из молекулярного пучка. Высота ступени 2,82 А (декорированы мелкими кристалликами специально осаждённого золота).
Рис. 8. а - Спиральная форма роста; б - ступень, оканчивающаяся на поверхности в точке её пересечения винтовой .
Присоединение нового атома
в любом положении на поверхности кроме излома меняет её энергию. Заполнение
немногочисленных вакансий, снижающее эту энергию, не может дать начала новому
атомному слою, а концентрация атомов в местах, соответствующих узлам решётки
следующего слоя, повышает энергию и поэтому мала. В результате необратимое присоединение
частиц к кристаллу, т. е. его рост, возможен только когда на его поверхности
есть изломы. На шероховатых поверхностях плотность изломов велика, и рост вдоль
нормали к поверхности возможен практически в любой точке. Такой
рост наз. нормальным. Он лимитируется скоростью присоединения отд. частиц к
изломам. Его скорость R
линейно увеличивается с переохлаждением на фронте
К.:
Здесь а
- межатомное
расстояние,l 0 - расстояние между изломами,
- эффективная частота тепловых , -
энергия, необходимая для присоединения частиц к излому (энергия активации).
Она учитывает перестройку ближнего порядка в жидкости, десольватацию строит.
частиц и изломов в растворах, хим. реакции и т. д. В простых расплавах коэф.
велики,
что обеспечивает рост
с заметной скоростью, когда переохлаждение на фронте К. Т
1К.
Так, для роста Si
10 6 см/с R= (3-5)*10 -3 см/с достигается при
10 -5 К. При достаточно низких темп-pax подвижность частиц падает
и скорость роста уменьшается, подобно скорости зарождения (рис. 5, б)
.
Если поверхность гладкая,
то изломы существуют только на ступенях, рост идёт последоват. отложением слоев
и наз. послойным. Если поверхность образована лестницей одинаковых ступеней
и в среднем отклонена от ближайшей сингулярной грани на угол с тангенсом р
, то ср. скорость её роста вдоль нормали к этой сингулярной ориентации
где
- скорость роста ступени вдоль грани,
(В растворах 10 -1 -10 -3
см/с.)
Плотность ступеней определяется
тем, генерируются ли они двумерными зародышами или дислокациями
.Образование
двумерных зародышей требует преодоления потенциального барьера, высота к-рого
пропорциональна линейной энергии ступеней и обратно пропорциональна .
Соответственно, скорость К. экспоненциально мала при малых Т
[для роста грани (III) Si с R=(3-5)*10 -3 см/с необходимо Т
0,ЗК;
см. выше]. При К. из молекулярных пучков, если есть места преимущественного
образования двумерных зародышей, ступени имеют вид замкнутых колец (рис. 7).
Возможно, что образование зародышей "облегчается" точками выхода
на поверхность краевых дислокаций.
При росте на винтовой дислокации, образуемая ею ступень в процессе роста приобретает спиральную форму (рис. 8), т. к. в точке окончания ступени на дислокации её скорость роста равна 0. В процессе спирального роста новый слой "накручивается" сам на себя вокруг точки выхода дислокации и на поверхности возникает пологий (вицинальный) холмик роста. Часто холмики образуются группой дислокаций, суммарный вектор Бюргерса к-рых имеет в направлении нормали к поверхности составляющую Ь , равную неск. параметрам а решётки. Точки выхода этих дислокаций могут занимать на поверхности некоторую область (с периметром 2L , рис. 9, а, в) . В этом случае склон кругового вицинального холмика образует с сингулярной гранью угол с тангенсом р =b /(19r c +2h ) (рис. 9,б ). Наклоны холмиков измеряютсяметодами оптич. (рис. 10), методом цветов тонких пластинок, а иногда непосредственно визуализацией ступеней.
Рис. 9. Двухзаходная спираль, образующая вицинальный холмик вокруг точек выхода на поверхность двух дислокаций: о) общий вид холмика; б) его сечение плоскостью, перпендикулярной грани и проходящей через точки выхода дислокаций; в) спираль на грани (100) синтетического алмаза.
Рис. 10. Интерференционные
полосы от вицинального холмика на грани призмы кристалла ADP
(рост из
водного раствора).
Радиус двумерного критяч.
зародыша
пропорционален линейной энергии ступени и обратно пропорционален Т
. Поэтому с увеличением Т
крутизна холмика р
линейно увеличивается при малых Т
и стремится к насыщению при больших (при L
0).
Соответственно, нормальная скорость роста R
квадратично увеличивается
с пересыщением при
малых переохлаждениях и линейно - при больших (рис. 11). Вариации вектора
Бюргсрса и протяжённость
L
дислокац. источника определяют разброс значений скорости роста кристаллографически
идентичных граней (или одной и той же грани) в одинаковых условиях. В процессе
роста грани точка выхода не перпендикулярной ей дислокации смещается и может
достигнуть одного из рёбер. После этого ступень исчезает. Дальше К. идёт лишь
путём двумерного зарождения, и скорость роста при малых переохлаждениях
падает (по крайней мере в неск. раз при К. из расплава и на неск. порядков при
К. из раствора). Из-за относительно малых значений линейной энергии ступеней
на границе кристалл - расплав и отсутствия проблемы доставки кристаллизующегося
вещества ,
и Л
на неск. порядков выше, чем для К. из растворов и газовой фазы.
Ввиду малой плотности газовой
фазы послойная К. из неё идёт в осн. не прямым попаданием частиц на ступени,
а за счёт частиц, адсорбированных на атомно-гладких "террасах"
между ступенями. За время между моментами прилипания к поверхности и
такая частица совершает случайные блуждания по поверхности и уходит от точки
прилипания на расстояние порядка ср. пробега l s .
Поэтому достичь ступени могут лишь частицы, адсорбировавшиеся вокруг неё в полосе
шириной
Большинство частиц, падающих на поверхность с малой плотностью ступеней, испаряются
- коэф. конденсации для таких поверхностей мал. Он приближается к 1 при большой
плотности ступеней, т. е. при значит. пересыщениях. По той же причине скорость
К. из газовой фазы даже на одной дислокации квадратично увеличивается с пересыщением
при малых пересыщениях и линейно - при больших. При конденсации молекулярных
пучков ступени образуются путём двумерного зарождения в местах, где пересыщение
в адсорбционном слое достигает критического, и потому ср. расстояние между ступенями
определяется длиной пробега адсор-биров. частиц.
Подвод вещества к растущей
поверхности и отвод от неё теплоты К. ограничивает скорость К., когда эти процессы
протекают медленнее поверхностных. Такой диффузионный режим типичен для К. из
расплавов и неперемешиваемых растворов. Высокая скорость К. из расплава лежит
в основе всех широко используемых методов выращивания монокристаллов, в к-рых
скорость К. задаётся механич. движением кристалла относительно независимо формируемого
теплового поля. Кинетич. режим К., когда скорость К. лимитируется поверхностными
процессами, характерен для К. из перемешиваемых растворов, из газовой фазы и
роста из перемешиваемого расплава кристаллов с высокой энтропией плавления.
Рис. 11. Наклоны р
вицинальных
холмиков, образованных двумя разными дислокационными источниками, и задаваемые
ими скорости роста грани R
в зависимости от пересыщения .
Формы роста
кристаллов
(габитус) определяются анизотропией скорости К. и условиями тепло- и массопереноса.
Кристаллы с шероховатыми поверхностями имеют обычно округлую форму. Атомно-гладкие
поверхности проявляются в виде граней. Стационарная форма кристаллич. многогранника
такова, что расстояние от центра до каждой грани пропорционально её скорости
роста. В результате кристалл оказывается образованным гранями с мин. скоростями
роста (грани с большими скоростями постепенно уменьшаются и исчезают). Они параллельны
плоскостям с наиб. плотной упаковкой и наиб. сильными связями в атомной структуре
кристалла. Поэтому кристаллы с цепочечной и слоистой структурой имеют игольчатую
или таблитчатую форму. Анизотропия скоростей роста и, следовательно, форма роста
кристалла в разл. фазах зависят от состава, Т
, Т
и сильно меняются под действием поверхностно-активных примесей.
Из-за большой скорости
поверхностных процессов К. переохлаждение Т
на атомно-шероховатых поверхностях мало, т. е. Т=Т 0
(отсюда
назв. изотермы). Плотноупакованные грани с простыми индексами в случае неметаллов
часто остаются сингулярными и появляются на округлом фронте К. в виде плоского
среза в форме круга, эллипса или кольца (рис. 12, а) в зависимости от формы
изотермы К. Темп-ра вдоль такой грани не постоянна и достигает минимума в точках,
наиб. удалённых от изотермы Т=Т 0
. В этих точках наивысшего
переохлаждения генерируются слои, определяющие скорость роста грани. Поэтому
стационарный размер грани тем больше, чем большее Т
нужно для её роста со скоростью, равной скорости округлого фронта К.
в направлении вытягивания кристалла. Шероховатые и гранные поверхности захватывают
разные кол-ва примесей, и кристалл с сосуществующими гранными и шероховатыми
формами вырастает неоднородным (рис. 12, б)
.
Рис. 12. Образование плоской
грани на округлом фронте кристалла (кристалл вытягивается из расплава): а
- осевое сечение кристалла с фронтом кристаллизации, вогнутым в сторону кристалла
в центре и плоским по периферии; б
-продольное сечение кристалла Si (периферич.
область обогащена примесью).
Если Т в расплаве убывает по мере удаления от фронта К., то фронт неустойчив: случайно возникший на нём выступ попадает в область большего переохлаждения, скорость роста вершины выступа становится ещё больше и т. д. В результате плоский фронт распадается на прилегающие друг к другу пластинчатые или игольчатые кристаллы - в сечении, параллельном фронту, возникает полосчатая или ячеистая структура. Ячейки характерны для больших градиентов темп-ры и имеют обычно гексагональную форму независимо от симметрии кристалла (рис. 13). Неустойчивость не совместима с выращиванием совершенных монокристаллов, т. к. ведёт к захвату включений маточной среды. Сферич. кристалл, растущий в переохлаждённом расплаве или растворе, сохраняет свою форму, пока его радиус не достигнет критич. значения, зависящего от радиуса критич. зародыша и скорости поверхностных процессов К. В дальнейшем развиваются выступы, и кристалл приобретает скелетную (рис. 14, а, б )или дендритную форму (рис. 14, в , г ). Название последней связывается с появлением вторичных ветвей после достижения первичным выступом критич. длины.
Рис. 13. Схема ячеистой
структуры фронта кристаллизации.
Рис. 14. Исходный округлый кристалл циклогексанола в расплаве (а ), начальная стадия роста скелетного кристалла (б ), дендрит (в ), дендрит при большом переохлаждении (г ).
Примесь, отталкиваемая
фронтом К. из расплава, скапливается перед ним и, меняя равновесную темп-ру
К., вызывает т. н. концентрац. переохлаждение, увеличивающееся по мере удаления
от фронта. Если равновесная темп-pa в расплаве увеличивается с расстоянием от
фронта быстрее, чем истинная, то возникает концентрационная неустойчивость.
Она исчезает при достаточно высоких отношениях градиента темп-ры на фронте К.
к его скорости.
Фронт К. из раствора всегда
неустойчив, т. к. пересыщениеувеличивается
по мере удаления от растущей поверхности. Для огранённых кристаллов характерно
большое пересыщение около вершин и рёбер, причём перепад увеличивается
с размером грани. При достаточно больших пересыще-нии и размере грани вершины
становятся ведущими источниками ступеней роста, а в центр. частях граней возникают
провалы - начинается скелетный рост (рис. 15). Ему способствуют нек-рые примеси.
Неустойчивость К. из растворов подавляется интенсивным перемешиванием, снижением
пересыщения, а иногда введением примесей.
Рис. 15. Скелетный кристалл шпинели.
Захват примесей. Отношение
концентраций примеси в кристалле и исходном веществе наз. коэф. захвата К
. При К<1 К. ведёт к очистке от примеси кристалла, при К>1 - к очистке
исходной среды, К=1 соответствует сохранению концентрации. Коэф. захвата разными
гранями различны и не совпадают с термоди-намич. равновесными, определяемыми
диаграммой состояния. Поэтому состав кристалла отклоняется от термодинамически
равновесного. Так, при лазерной или электронной импульсной рекристаллизации
тонких приповерхностных слоев Si со скоростями К. до
неск. м/с концентрация
примесей As, Sb, In, Bi в кристалле Si превосходит равновесную в 3-600 раз,
причём подавляющее большинство примесных атомов находится в узлах решётки. Это
связано, во-первых, со статистич. отбором: каждый узел решётки при К. окончательно
заполняется тем или иным атомом после множества попыток (от 10 6 -10 7
при скоростях 10 -3
см/с и до 10 при скоростях м/с).
Во-вторых, в условиях быстрой К. не успевает протекать диффузия в расплаве.
Неравновесный захват примеси
при послойном росте связан со статистич. отбором на ступенях, а также с тем,
что даже равновесная концентрация примеси в поверхностном слое кристалла и торце
ступени заметно отличается от объёмной. При достаточно быстром отложении слоев
следующий слой замуровывает предыдущий вместе с содержащейся в нём примесью.
В результате каждая грань захватывает примесь в кол-ве, отвечающем концентрации
в её поверхностном слое, и кристалл оказывается сложенным из секторов роста
разных граней, с разл. концентрациями примесей и др. дефектов
- возникает
т. н. секториальное строение кристалла (рис. 16). Количество примеси, захватываемое
при движении ступени по грани, зависит от ориентации этой ступени. Поэтому сектор
роста данной грани, в свою очередь, разбивается на области, отложенные вициналями
разной ориентации с разным содержанием примеси (вицинальная секториальность,
рис. 17).
Темп-pa и концентрация
примеси на фронте К. из расплава флуктуируют из-за конвекции расплава и вращения
кристалла и тигля в обычно слегка несимметричном тепловом поле. Соответствующие
положения фронта К. отпечатываются в кристалле в виде полос (зонар-ное строение,
рис. 16). Флуктуации темп-ры могут быть столь сильны, что рост кристалла сменяется
плавлением и ср. скорость оказывается на порядок меньше мгновенной. Интенсивность
конвекции и амплитуда полосчатости уменьшаются при выращивании кристаллов в
невесомости.
Рис. 16. Секториальное
и зонарное строение кристалла алюмокалиевых
квасцов.
Рис. 17. Вицинальный холмик,
образованный на грани ступенями трёх разных ориентации вокруг краевой дислокации
D(a)
. Разные склоны холмика захватывают разные количества примеси (б
).
Образование дефектов
.
Посторонние газы, растворимые в растворах и расплавах лучше, чем в кристаллах,
выделяются на фронте К. Пузырьки газа захватываются растущим кристаллом, если
они превышают критич. размер, убывающий с увеличением скорости роста (аналогично
захватываются твёрдые частицы). При К. в невесомости конвективный отвод пузырьков
от фронта К. затруднён и кристалл обогащается газовыми включениями. Специально
создавая пузырьки, получают пеноматериалы. Реальные кристаллы всегда имеют зонарно
и секториально распределённые примеси, к-рые изменяют параметр решётки, что
вызывает внутр. напряжения, дислокации и трещины. Последние возникают также
из-за несоответствия параметров решёток затравки (подложки) и нарастающего на
ней кристалла. Источниками внутр. напряжений и дислокаций
являются также включения маточной среды и посторонних частиц.
При К. из расплава дислокации
возникают из-за термоупругих напряжений, вызванных нелинейным распределением
темп-ры; при охлаждении уже выросших частей кристалла снаружи; при линейном
распределении темп-ры вдоль нормали к достаточно протяжённому фронту К., если
свободный температурный изгиб кристалла невозможен; наследованием из затравки.
Поэтому выращивание бездислокационных кристаллов Si, GaAs, IP начинают с затравок
малого диаметра и ведут в максимально однородном температурном ноле. Кристаллы
могут содержать петли дислокаций размером меньше 1 мкм. Петли образуются как
контуры дискообразных скоплений (кластеров) межузельных атомов (или вакансий),
возникших в результате распада пересыщенного твёрдого раствора
при охлаждении
выросшего кристалла. Атомы примеси могут быть центрами зарождения кластеров.
Массовая К
. При
определ. условиях возможен одноврем. рост множества кристаллов. Спонтанное массовое
появление зародышей и их рост происходят, напр., при затвердевании отливок металлов.
Кристаллы зарождаются прежде всего на охлаждаемых стенках изложницы, куда заливается
перегретый металл. Зародыши на стенках ориентированы хаотично, однако в процессе
роста "выживают" те из них, у к-рых направление макс. скорости роста
перпендикулярно стенке (геометрич. отбор кристаллов). В результате у поверхности
возникает т.н. столбчатая зона, состоящая из узких кристаллов, вытянутых вдоль
нормали к поверхности.
Массовая К. в растворах
начинается либо на спонтанно возникших зародышах, либо на специально введённых
затравках. Сталкиваясь в перемешиваемом растворе между собой, со стенками сосуда
и мешалкой, кристаллики разрушаются и дают начало новым центрам К. (вторичное
зарождение). Причиной вторичного зарождения могут быть также мелкие обломки
нависающих над гранью слоев, "запечатывающих" плоские параллельные
грани, включения маточного раствора. В металлургии используют сильные конвективные
потоки, обламывающие дендритные кристаллы и разносящие центры К. по всему объёму,
иногда применяют УЗ-дробление растущих кристаллов. Массовой К. очищают вещества
от примеси (К<1). Массовая К. из газовой фазы (в т. ч. из плазмы) используется
для получения ультрадисперсных порошков с размерами кристалликов до 10 -6
см и менее. Необходимые для этого высокие переохлаждения достигаются резким
охлаждением пара смеси химически реагирующих газов или плазмы. Известен способ
массовой К. капель, кристаллизующихся во время падения в охлаждаемом газе.
Лит.:
Выращивание
кристаллов из растворов, 2 изд., Л., 1983; Леммлейн Г. Г., Морфология и генезис
кристаллов, М., 1973; Лодиз Р. А., Паркер Р. Л., Рост монокристаллов, пер. с
англ., М., 1974; Проблемы современной кристаллографии, М., 1975; Современная
кристаллография, т. 3, М., 1980; Чернов А. А., Физика кристаллизации, М., 1983;
Гегузин Я. Е., Kаганевский Ю. С., Диффузионные процессы на поверхности кристалла,
М., 1984; Морохов И. Д., Трусов Л. И., Лаповок В. Н., Физические явления в ультрадисперсных
средах, М., 1984; Скрипов В. П., Коверда В. П., Спонтанная кристаллизация переохлажденных
жидкостей, М., 1984.
Фазой называется однородная часть термодинамической системы отделённая от других частей системы(других фаз) поверхностью раздела, при переходе через которую химический состав, структура и свойства вещества изменяются скачками.
Кристаллизация - это процесс выделения твёрдой фазы в виде кристаллов из растворов или расплавов, в химической промышленности процесс кристаллизации используется для получения веществ в чистом виде.
Кристаллизация начинается при достижении некоторого предельного условия, например, переохлаждения жидкости или пересыщения пара, когда практически мгновенно возникает множество мелких кристалликов - центров кристаллизации . Кристаллики растут, присоединяя атомы или молекулы из жидкости или пара. Рост граней кристалла происходит послойно, края незавершённых атомных слоев (ступени) при росте движутся вдоль грани. Зависимость скорости роста от условий кристаллизации приводит к разнообразию форм роста и структуры кристаллов (многогранные, пластинчатые, игольчатые, скелетные, дендритные и другие формы, карандашные структуры и т. д.). В процессе кристаллизации неизбежно возникают различные дефекты.
На число центров кристаллизации и скорость роста значительно влияет степень переохлаждения.
Степень переохлаждения - уровень охлаждения жидкого металла ниже температуры перехода его в кристаллическую (твердую) модификацию. С.п. необходима для компенсации энергии скрытой теплоты кристаллизации. Первичной кристаллизацией называется образование кристаллов в металлах (и сплавах) при переходе из жидкого состояния в твердое.
Wikimedia Foundation . 2010 .
Синонимы :Смотреть что такое "Кристаллизация" в других словарях:
- (ново лат., от греч. krystallos кристалл). Такой переход тел из жидкого состояния в твердое, при котором они принимают известные кристаллические формы. Словарь иностранных слов, вошедших в состав русского языка. Чудинов А.Н., 1910. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ … Словарь иностранных слов русского языка
кристаллизация - и, ж. cristallisation <, лат. cristallsatio. 1. хим. Процесс образования кристаллов. Сл. 18. Кристаллизация или зернованье. Лом. ОМ 599. // Сл. 18 11 18. Сии минеральныя изпарения всего болле участвуют в кристаллизации, крашении камней и… … Исторический словарь галлицизмов русского языка
Образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Кристаллизация - – процесс образования кристаллов при переходе вещества из термодинамически менее устойчивого состояния в более устойчивое. [Словарь основных терминов, необходимых при проектировании, строительстве и эксплуатации автомобильных дорог.]… … Энциклопедия терминов, определений и пояснений строительных материалов
Современная энциклопедия
Сущ., кол во синонимов: 4 вакуум кристаллизация (1) гидатогенезис (2) … Словарь синонимов
Кристаллизация - КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, процесс образования кристаллов из паров, растворов, расплавов, из вещества в другом кристаллическом или аморфном состоянии. Кристаллизация начинается при переохлаждении жидкости или пересыщении пара, когда практически мгновенно… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, процесс образования КРИСТАЛЛОВ из вещества, переходящего из газообразного или жидкого состояния в твердое (СУБЛИМАЦИЯ или плавление) или возникающего из раствора (ИСПАРЕНИЕ или ОСАЖДЕНИЕ). При плавлении твердое вещество нагревают… … Научно-технический энциклопедический словарь
КРИСТАЛЛИЗОВАТЬ, зую, зуешь; ованный; сов. и несов., что. Превратить (ащать) в кристаллы. Толковый словарь Ожегова. С.И. Ожегов, Н.Ю. Шведова. 1949 1992 … Толковый словарь Ожегова
Процесс перехода тела из жидкого (иногда игазообразного) состояния в твердое, причем оно принимает более или менееправильную геометрическую форму кристалла … Энциклопедия Брокгауза и Ефрона
Процесс роста к ла с момента зарождения. К. может происходить из жидкого состояния (раствора, расплава; магмы; фазовый переход), газообразного (см. Сублимация) и твердого. См. Перекристаллизация, Метасоматоз, Потоки концентрационные, Регенерация… … Геологическая энциклопедия
Книги
- Кристаллизация общественного мнения , Бернейс Эдвард. Книга Эдварда Бернейса "Кристаллизация общественного мнения"-первая и уже ставшая классической работа, посвященная PR как самостоятельной дисциплине. Написанная в 1923 году, она впервые четко…
