ផលប៉ះពាល់ខ្លះនៃអន្តរកម្មនៃកាំរស្មីអ៊ិចជាមួយរូបធាតុ

ដូចដែលបានរៀបរាប់ខាងលើ កាំរស្មីអ៊ិចអាចធ្វើឲ្យអាតូម និងម៉ូលេគុលនៃរូបធាតុរំភើប។ នេះអាចបណ្តាលឱ្យ fluorescence នៃសារធាតុមួយចំនួន (ឧទាហរណ៍ស័ង្កសីស៊ុលហ្វាត) ។ ប្រសិនបើកាំរស្មីអ៊ិចស្របគ្នាត្រូវបានតម្រង់ទៅវត្ថុស្រអាប់ នោះកាំរស្មីអាចត្រូវបានគេសង្កេតឃើញឆ្លងកាត់វត្ថុដោយដាក់អេក្រង់ដែលស្រោបដោយសារធាតុ fluorescent ។

អេក្រង់ fluorescent អាចត្រូវបានជំនួសដោយខ្សែភាពយន្តថតរូប។ កាំរស្មីអ៊ិចមានឥទ្ធិពលដូចគ្នាទៅលើសារធាតុ emulsion ថតរូបដូចពន្លឺដែរ។ វិធីសាស្រ្តទាំងពីរនេះត្រូវបានប្រើក្នុងវេជ្ជសាស្ត្រជាក់ស្តែង។

ឥទ្ធិពលសំខាន់មួយទៀតនៃកាំរស្មីអ៊ិចគឺសមត្ថភាពអ៊ីយ៉ូដរបស់វា។ វាអាស្រ័យលើរលកនិងថាមពលរបស់វា។ ឥទ្ធិពលនេះផ្តល់នូវវិធីសាស្រ្តសម្រាប់វាស់អាំងតង់ស៊ីតេកាំរស្មីអ៊ិច។ នៅពេលដែលកាំរស្មីអ៊ិចឆ្លងកាត់អង្គជំនុំជម្រះអ៊ីយ៉ូដ ចរន្តអគ្គិសនីត្រូវបានបង្កើត ទំហំនៃទំហំដែលសមាមាត្រទៅនឹងអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិច។

នៅពេលដែលកាំរស្មីអ៊ិចឆ្លងកាត់រូបធាតុ ថាមពលរបស់វាថយចុះដោយសារតែការស្រូប និងការខ្ចាត់ខ្ចាយ។ ការថយចុះនៃអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិចដែលឆ្លងកាត់តាមវត្ថុស្របគ្នាត្រូវបានកំណត់ដោយច្បាប់របស់ Bouguer៖ កន្លែងណា ខ្ញុំ ០- អាំងតង់ស៊ីតេដំបូងនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិច; ខ្ញុំគឺជាអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិចឆ្លងកាត់ស្រទាប់នៃរូបធាតុ។ ឃ-ស្រូបយកកម្រាស់ស្រទាប់ , - មេគុណ attenuation លីនេអ៊ែរ។ វាស្មើនឹងផលបូកនៃបរិមាណពីរ៖ t- មេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរ និង ស- មេគុណការខ្ចាត់ខ្ចាយលីនេអ៊ែរ៖ m = t+ស

នៅក្នុងការពិសោធន៍ វាត្រូវបានគេរកឃើញថា មេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរ អាស្រ័យលើចំនួនអាតូមិកនៃសារធាតុ និងប្រវែងរលកនៃកាំរស្មីអ៊ិច៖

តើមេគុណសមាមាត្រផ្ទាល់នៅឯណា ដង់ស៊ីតេនៃសារធាតុ Z- ចំនួនអាតូមនៃធាតុ, - ប្រវែងរលកនៃកាំរស្មីអ៊ិច។

ការពឹងផ្អែកលើ Z គឺមានសារៈសំខាន់ខ្លាំងណាស់តាមទស្សនៈជាក់ស្តែង។ ឧទាហរណ៍ មេគុណស្រូបយកឆ្អឹងដែលផ្សំឡើងពីកាល់ស្យូមផូស្វាត គឺខ្ពស់ជាងមេគុណស្រូបយកជាលិកាទន់ជិត 150 ដង ( Z= 20 សម្រាប់កាល់ស្យូមនិង Z= 15 សម្រាប់ផូស្វ័រ) ។ នៅពេលដែលកាំរស្មី X ឆ្លងកាត់រាងកាយមនុស្ស ឆ្អឹងឈរយ៉ាងច្បាស់ប្រឆាំងនឹងផ្ទៃខាងក្រោយនៃសាច់ដុំ ជាលិកាភ្ជាប់។ល។

វាត្រូវបានគេដឹងថាសរីរាង្គរំលាយអាហារមានមេគុណស្រូបយកដូចគ្នានឹងជាលិកាទន់ផ្សេងទៀត។ ប៉ុន្តែ​ស្រមោល​នៃ​បំពង់​អាហារ ក្រពះ និង​ពោះវៀន​អាច​ត្រូវបាន​សម្គាល់​បាន​ប្រសិនបើ​អ្នកជំងឺ​ទទួលទាន​សារធាតុ​ប្រឆាំង​អុកស៊ីតកម្ម - បា​រី​ម ស៊ុ​ល​ហ្វា​ត ( Z= 56 សម្រាប់បារីយ៉ូម) ។ Barium sulphate មានភាពស្រអាប់ខ្លាំងចំពោះកាំរស្មីអ៊ិច ហើយជារឿយៗត្រូវបានគេប្រើសម្រាប់ការពិនិត្យកាំរស្មីអ៊ិចនៃការរលាកក្រពះពោះវៀន។ ល្បាយស្រអាប់មួយចំនួនត្រូវបានចាក់ចូលទៅក្នុងចរន្តឈាម ដើម្បីពិនិត្យមើលស្ថានភាពនៃសរសៃឈាម តម្រងនោម និងអ្វីៗផ្សេងទៀត។ ក្នុងករណីនេះអ៊ីយ៉ូតត្រូវបានគេប្រើជាភ្នាក់ងារកម្រិតពណ៌ លេខអាតូមិកគឺ 53 ។

ការពឹងផ្អែកលើការស្រូបកាំរស្មីអ៊ិចនៅលើ Zក៏ត្រូវបានគេប្រើដើម្បីការពារប្រឆាំងនឹងផលប៉ះពាល់ដែលអាចកើតមាននៃកាំរស្មីអ៊ិច។ ចំពោះគោលបំណងនេះ, សំណត្រូវបានប្រើ, តម្លៃ Zសម្រាប់ 82 ។

ទំព័រ 1

ធម្មទេសនា ១០

អន្តរកម្មនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចជាមួយនឹងរាងកាយរឹង (ឥទ្ធិពល photoelectric, ឥទ្ធិពល Compton) ។ ផ្នែកឆ្លងកាត់នៃឥទ្ធិពល photoelectric និងទំនាក់ទំនងរបស់វាទៅនឹងមេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរនៃកាំរស្មីអ៊ិច។ ការគណនាមេគុណស្រូបយកម៉ាស់សម្រាប់សំណាក polyatomic ។

ទំនាក់ទំនងដ៏មានសារៈប្រយោជន៍នៅពេលចេញពីថាមពល photon ទៅរលកពន្លឺ

ផលិតផលនៃថាមពលនិងរលក = hc= 12.4 keVÅ

(10.1)
នៅពេលដែលធ្នឹម photon ឆ្លងកាត់រាងកាយរឹង ដំណើរការដូចខាងក្រោមអាចធ្វើទៅបានដែលនាំឱ្យចុះខ្សោយនៃអាំងតង់ស៊ីតេនៃធ្នឹម:

• 
  កំណើតនៃ photoelectrons ដែលជាលទ្ធផលនៃឥទ្ធិពល photoelectric;
• 
  ការខ្ចាត់ខ្ចាយ Compton;
• 
  ការបង្កើតគូអេឡិចត្រុង-positron ។

ដំណើរការចុងក្រោយនៃដំណើរការទាំងនេះ ដែលមាននៅក្នុងការស្រូបយក photon ជាមួយនឹងការបង្កើតគូអេឡិចត្រុង-positron អាចកើតឡើងបានលុះត្រាតែថាមពល photon  2 ម អ៊ី គ 2 = 1.02 MeV ។ នៅក្នុងវិធីសាស្រ្តនៃការវិភាគធាតុនិងរចនាសម្ព័ន្ធ, photons ដែលមានថាមពលបែបនេះមិនត្រូវបានប្រើទេដូច្នេះដំណើរការនេះនឹងមិនត្រូវបានពិចារណា។

ការបែកខ្ចាត់ខ្ចាយរបស់ Compton ជាគោលការណ៍មិនមែនដល់ការស្រូបនៃហ្វូតុងទេ ប៉ុន្តែទៅជាការផ្លាស់ប្តូរទិសដៅនៃចលនារបស់វា (ខ្ចាត់ខ្ចាយតាមមុំ ) ជាមួយនឹងការកើនឡើងដំណាលគ្នានៃរលកចម្ងាយរបស់វាដោយ  = ( ម៉ោង/ម អ៊ី គ)(1 – cos), កន្លែងណា ម៉ោង/ម អ៊ី គ = 0.0243 Å - រលកអេឡិចត្រុង Compton. ថាមពលនៃហ្វូតុនដែលប្រើក្នុងវិធីសាស្រ្តវិភាគជាធម្មតាមិនលើសពី 10 keV ដែលត្រូវគ្នានឹងរលកចម្ងាយ  = 1.24 Å ។ ដូច្នេះសូម្បីតែសម្រាប់មុំខ្ចាត់ខ្ចាយអតិបរិមា  = 90 o ការផ្លាស់ប្តូរដែលទាក់ទងគ្នាក្នុងប្រវែងរលកដែលជាលទ្ធផលនៃការខ្ចាត់ខ្ចាយ Compton /  210 -2 ។ លើសពីនេះទៀតនៅថាមពលដែលបានចង្អុលបង្ហាញប្រូបាប៊ីលីតេនៃដំណើរការខ្ចាត់ខ្ចាយ Compton គឺទាបជាងប្រូបាប៊ីលីតេនៃការផលិត photoelectron ។ ដូច្នេះ ការរួមចំណែកដ៏លើសលប់ដល់ការបន្ថយពន្លឺនៃធ្នឹម photon (X-ray quanta) ត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយឥទ្ធិពល photoelectric ។

សូមចាំថានៅក្នុងបែបផែន photoelectric, កាំរស្មី X-ray quantum ជាមួយនឹងថាមពល ħ  បញ្ជូន ទាំងអស់។ថាមពលទៅជាអេឡិចត្រុងអាតូម ដែលជាលទ្ធផលដែលក្រោយមកហោះចេញពីអាតូមជាមួយនឹងថាមពល

អ៊ី អ៊ី = ħ  – អ៊ីស្ត,

(10.2)
កន្លែងណា អ៊ី sv គឺជាថាមពលភ្ជាប់នៃអេឡិចត្រុងនៅក្នុងអាតូម។

ដើម្បីឱ្យឥទ្ធិពល photoelectric កើតឡើងលក្ខខណ្ឌ ħ   អ៊ី sv ដូច្នេះនៅថាមពល quantum ថេរ ឥទ្ធិពល photoelectric អាចកើតឡើងនៅលើសំបកមួយចំនួន (subshells) និងអវត្តមាននៅលើផ្សេងទៀត។

អនុលោមតាមកន្សោម (10.2) នៅពេលដែលគំរូមួយត្រូវបាន irradiated ជាមួយ x-ray quanta នៃថាមពលថេរ (វិទ្យុសកម្ម monochromatic x-ray) photoelectrons ដែលមានថាមពលផ្សេងគ្នានឹងហោះចេញពីគំរូ ដែលត្រូវគ្នានឹងថាមពលចងផ្សេងៗគ្នា។ ដោយបានវាស់វែង អ៊ី អ៊ីនិងការដឹង ħ  អាចកំណត់បាន។ អ៊ី sv និងបង្កើតអាតូមណាដែលបញ្ចេញ photoelectron ។ លទ្ធភាពនេះផ្អែកលើវិធីសាស្ត្រវិភាគដែលហៅថា X-ray photoelectron spectroscopy ។

ការគណនាមេកានិចកង់ទិចផ្តល់នូវកន្សោមខាងក្រោមសម្រាប់ការពឹងផ្អែកនៃផ្នែកឆ្លងកាត់បែបផែន photoelectric នៅលើសែល (subshell) លើថាមពលចង អ៊ីផ្លូវ

ដោយសារតែ អ៊ី 2 ħ /ម អ៊ី គ= 5.5610 -2 keVÅ 2 បន្ទាប់មកដោយរួមបញ្ចូលគ្នានូវចំនួនថេរទាំងអស់ យើងទទួលបានកន្សោមដូចខាងក្រោម

Å 2 ប្រសិនបើ ħ  ក្នុង keV ។

(10.3)
ប្រសិនបើអ្នកចូល ħ  0 = hc/ 0 = អ៊ី sv បន្ទាប់មកយើងទទួលបានការពឹងផ្អែកនៃផ្នែកឆ្លងកាត់បែបផែន photoelectric លើរលកកាំរស្មីអ៊ិចក្នុងទម្រង់

 0 ហៅថា រលកគែមស្រូប(ប្រសិនបើ TO- សែលបន្ទាប់មក TO- គែមស្រូបយក, ប្រសិនបើ អិល 1 បន្ទាប់មក អិល 1 - គែមស្រូបយក) ។

និង
វាធ្វើតាមពីកន្សោមខាងលើថានៅពេលណា ħ   អ៊ី sv (   0) ផ្នែកឆ្លងកាត់នៃឥទ្ធិពល photoelectric មានទំនោរទៅរកភាពគ្មានទីបញ្ចប់។ ជាការពិត វាមានការកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំងនៃតម្លៃ  ph ដល់តម្លៃជាក់លាក់មួយ បន្ទាប់មកផ្នែកឆ្លងកាត់នៃឥទ្ធិពល photoelectric នៅលើសែលដែលបានផ្តល់ឱ្យ (subshell) ក្លាយជាស្មើនឹងសូន្យ ( ħ   អ៊ីផ្លូវ) ។ ក្នុងករណីនេះជាការពិតណាស់ផ្នែកឈើឆ្កាងនៃឥទ្ធិពល photoelectric នៅលើសែលជាមួយនឹងថាមពលចងទាបគឺមិនស្មើនឹងសូន្យទេ។ នៅលើរូបភព។ 10.1a បង្ហាញពីការពឹងផ្អែកនៃផ្នែកឆ្លងកាត់នៃឥទ្ធិពល photoelectric លើថាមពល photon និងនៅក្នុងរូបភព។ 10.1b - នៅលើរលកចម្ងាយនៅជិតគែមស្រូបយក។

ផ្នែកឆ្លងកាត់សរុបនៃឥទ្ធិពល photoelectric នៅក្នុងអាតូម  ph គឺជាផលបូកនៃផ្នែកឆ្លងកាត់នៃឥទ្ធិពល photoelectric លើផ្នែកនីមួយៗនៃ សសំបក/ស្រទាប់រង ដែលអាស្រ័យលើ ћ  និង អ៊ី sv នៃសែល/subshell ដែលបានផ្តល់ឱ្យ។

ប្រសិនបើផ្នែកឆ្លងកាត់នៃឥទ្ធិពល photoelectric នៃ quantum កាំរស្មី X ជាមួយនឹងថាមពល ћ  នៅលើសែល/subshell នៅក្នុងគំរូ monoatomic ដែលមានកំហាប់អាតូម ន 0 ស្មើ បន្ទាប់មក ផ្លូវទំនេរមធ្យមនៃ quantum មុនពេលស្រូបយករបស់វាជាមួយនឹងការចេញផ្សាយនៃ photoelectron ជាមួយ សសំបក/ស្រទាប់រង

, (10.5)

កន្លែងណា ន សគឺជាចំនួនអេឡិចត្រុងក្នុងមួយ សសែល/ស្រទាប់រង។

អនុញ្ញាតឱ្យនៅខាងក្នុងគំរូអាំងតង់ស៊ីតេនៃលំហូរនៃ X-ray quanta គឺស្មើនឹង ខ្ញុំមុនពេលចូលទៅក្នុងកម្រាស់ស្រទាប់ dxបន្ទាប់មកប្រភាគនៃធ្នឹមស្រូបយកដោយសារតែឥទ្ធិពល photoelectric នៅក្នុងស្រទាប់នេះគឺ

,

កន្លែងណា  ស = ន 0 ន ស .

ពីសមីការឌីផេរ៉ង់ស្យែលនេះ វាធ្វើតាមនោះ។ អាំងតង់ស៊ីតេនៃលំហូរ X-ray quanta បន្ទាប់ពីឆ្លងកាត់គំរូដែលមានកម្រាស់លីត្រ ទាក់ទងទៅនឹងអត្រាលំហូរនៅច្រកចូលគំរូខ្ញុំ 0 សមាមាត្រខាងក្រោម៖

,

កន្លែងណា
–មេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរ. ឯកតារង្វាស់  − cm −1 ។

ពេលខ្លះគេប្រើពាក្យ ប្រវែងកាត់បន្ថយគឺជាចម្ងាយតាមបណ្តោយធម្មតាទៅផ្ទៃគំរូ ដែលអាំងតង់ស៊ីតេកាំរស្មីអ៊ិចថយចុះ អ៊ីម្តង។ ជាធម្មតា ប្រវែងរំកិលត្រូវបានវាស់ជា µm ។

ម៉ូដែលគណនាបច្ចុប្បន្ន ជាពិសេសនៅថាមពល quantum ћ  ជិត អ៊ី s មិនយល់ស្របល្អជាមួយទិន្នន័យពិសោធន៍ ដូច្នេះក្នុងការអនុវត្ត វាជាការប្រសើរក្នុងការប្រើតម្លៃដែលបានកំណត់ដោយពិសោធន៍នៃមេគុណនៃការស្រូបទាញលីនេអ៊ែរនៃ photon កាំរស្មីអ៊ិចនៃថាមពលផ្សេងៗនៅក្នុងវត្ថុធាតុ monoatomic ដែលត្រូវបានកំណត់ដោយការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុង អាំងតង់ស៊ីតេនៃលំហូរកាំរស្មី X-ray photon បន្ទាប់ពីឆ្លងកាត់គំរូនៃកម្រាស់ដែលគេស្គាល់។

សៀវភៅយោងជាធម្មតាផ្តល់តម្លៃ មេគុណស្រូបយកម៉ាស /  ដែលជាកន្លែងដែល  ជាដង់ស៊ីតេនៃការស្រូបយក ឯកតារង្វាស់ / គឺសង់ទីម៉ែត្រ 2 / ក្រាម។ ការប្រើប្រាស់មេគុណស្រូបយកម៉ាស់គឺដោយសារតែដំបូងបង្អស់ដើម្បីកំណត់មេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរ វាចាំបាច់ក្នុងការវាស់ស្ទង់កម្រាស់នៃស្រូបស្រូបស្តើង (តាមលំដាប់មីក្រូន) ជាមួយនឹងភាពត្រឹមត្រូវខ្ពស់ ។ ជាមួយនឹងភាពត្រឹមត្រូវកាន់តែច្រើន។ ជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេស្រូបយក  វាច្បាស់ណាស់ថា  = (/) ។

ទីពីរ ការប្រើប្រាស់មេគុណស្រូបទាញ អនុញ្ញាតឱ្យអ្នកគណនា / សម្រាប់សមាសធាតុដែលមានធាតុផ្សេងៗពីតម្លៃដែលគេស្គាល់ (/) ខ្ញុំធាតុនីមួយៗដែលបង្កើតជាសមាសធាតុ។ នេះត្រូវបានធ្វើតាមរបៀបដូចខាងក្រោម។

អនុញ្ញាតឱ្យ
គឺជាផ្នែកឆ្លងកាត់សរុប (លើសំបក និងស្រទាប់រងទាំងអស់) នៃឥទ្ធិពល photoelectric លើអាតូមមួយ។ ខ្ញុំធាតុផ្សំនៃការតភ្ជាប់។ បន្ទាប់មកមេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរនៅក្នុងសមាសធាតុអាចត្រូវបានសរសេរជា

,

កន្លែងណា ន ខ្ញុំនិង ម ខ្ញុំ- កំហាប់អាតូមិក និងម៉ាស់អាតូម ខ្ញុំ- សមាសធាតុនៅក្នុងសមាសធាតុ ន 0 ខ្ញុំគឺ​ជា​កំហាប់​អាតូម​នៃ​សំណាក​ម៉ូណូ​ធាតុ​ដែល​មាន​តែ​ ខ្ញុំ- សមាសធាតុទី, ម 0 - ឯកតាម៉ាស់អាតូម (1.6610 -24 ក្រាម) ។ ផលិតផលនៅក្នុងវង់ក្រចកគឺស្មើនឹងមេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរ ខ្ញុំ- សមាសភាគទី; ផលិតផលនៅក្នុងភាគបែងគឺជាដង់ស៊ីតេ ខ្ញុំសមាសភាគ -th ដូច្នេះមេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរអាចត្រូវបានតំណាងជា

.

ដង់ស៊ីតេនៃការតភ្ជាប់អាចត្រូវបានតំណាងជា
ហើយមេគុណស្រូបយកម៉ាស់ត្រូវបានសរសេរជា

,

ដែល  គឺជាដង់ស៊ីតេអាតូមនៃសមាសធាតុ។

ប្រសិនបើសមាសធាតុ stoichiometric នៃសមាសធាតុមួយត្រូវបានគេស្គាល់ នោះការប្រមូលផ្តុំដែលទាក់ទងនៃនីមួយៗ ខ្ញុំ- សមាសធាតុទី ជាមួយ ខ្ញុំ. ដោយសារតែ ជាមួយ ខ្ញុំ = ន ខ្ញុំ /នបន្ទាប់មក ទីបំផុត មេគុណនៃការស្រូបយកម៉ាស់ផ្សំមើល​ទៅ​ដូច​ជា:

.

ជួនកាលមេគុណស្រូបយកម៉ាស់ត្រូវបានសរសេរក្នុងន័យនៃប្រភាគទម្ងន់ រ ខ្ញុំ ខ្ញុំធាតុផ្សំនៃការតភ្ជាប់ (
).

ហ និងរូបភព។ 10.2 ជាឧទាហរណ៍ ការពឹងផ្អែកនៃមេគុណស្រូបយកម៉ាស់នៅក្នុងនីកែលលើរលកនៃកាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានបង្ហាញ។ ការពឹងផ្អែកខ្លាំង / កើតឡើងពីការពឹងផ្អែកថាមពលនៃផ្នែកឆ្លងកាត់បែបផែន photoelectric លើថាមពលនៃកាំរស្មី X-ray Quantum (រលក) ។ នៅចម្ងាយរលកតិចជាង TOគឺជាគែមស្រូប កំណត់ជា ម៉ោងជាមួយ/(រៀងគ្នានៅ ћ  > ) quanta ត្រូវបានស្រូបយកជាចម្បងដោយ TOសែល (
) នៅប្រវែងរលកធំជាង TO- គែមស្រូបយក ដំណើរការនេះកើតឡើងនៅ អិល- subshells ដែលសម្រាប់មេគុណស្រូបយកម៉ាស់ គែមក៏ត្រូវបានគេសង្កេតឃើញរៀងៗខ្លួន អិល 1 , អិល 2 និង អិល 3 - ការស្រូបយក។

ទំព័រ 1

ការឆ្លងកាត់នៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចតាមរយៈសារធាតុនៃគំរូត្រូវបានអមដោយអន្តរកម្មនៃវិទ្យុសកម្មជាមួយសារធាតុនេះ។ អន្តរកម្មបីប្រភេទនេះត្រូវបានគេស្គាល់៖ (ស្លាយទី ១៧)

1. ការខ្ចាត់ខ្ចាយនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិច (ដោយគ្មានការផ្លាស់ប្តូរនិងជាមួយនឹងការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុងរលក);

2. ឥទ្ធិពល photoelectric;

3. ការបង្កើតគូអេឡិចត្រុង-positron (ឥទ្ធិពលនេះកើតឡើងតែនៅថាមពល photon ធំជាង 1 MeV)។

ការរីករាលដាលនៃកាំរស្មីអ៊ិច។ សារធាតុដែលត្រូវបានប៉ះពាល់នឹងកាំរស្មី X បញ្ចេញវិទ្យុសកម្មបន្ទាប់បន្សំ ប្រវែងរលកគឺស្មើនឹងប្រវែងរលកនៃកាំរស្មីឧប្បត្តិហេតុ (ការខ្ចាត់ខ្ចាយរួមគ្នា) ឬខុសគ្នាបន្តិច។ ក្នុងករណីដំបូង វាលអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចឆ្លាស់ដែលបង្កើតឡើងដោយកាំរស្មី X បណ្តាលឱ្យមានចលនាលំយោលនៃអេឡិចត្រុងនៃសារធាតុ irradiated ហើយពួកវាក្លាយជាប្រភពនៃវិទ្យុសកម្មរួមគ្នា។ ដោយសារភាពស៊ីសង្វាក់គ្នា កាំរស្មីដែលរាយប៉ាយដោយអាតូមផ្សេងៗគ្នាអាចរំខាន។ ចម្ងាយរវាងយន្តហោះអាតូមិចនៅក្នុងសារធាតុគ្រីស្តាល់គឺអាចប្រៀបធៀបទៅនឹងរលកនៃកាំរស្មីអ៊ិច។ ដូច្នេះ គ្រីស្តាល់​មាន​តួនាទី​ជា​ឧបករណ៍​បំប៉ោង​សម្រាប់​កាំរស្មី X ដែល​មាន​ភាព​ស៊ីសង្វាក់គ្នា។

ឥទ្ធិពល Compton ។ នៅក្នុងការខ្ចាត់ខ្ចាយ Compton ឧប្បត្តិហេតុ quantum យឺត ៗ បុកជាមួយអេឡិចត្រុងនៃសារធាតុ។ ជាលទ្ធផលថាមពលមួយផ្នែកត្រូវបានចំណាយលើការបង្កើនថាមពល kinetic នៃអេឡិចត្រុង ហើយរលកវិទ្យុសកម្មកើនឡើង។ ដូច្នេះ ការខ្ចាត់ខ្ចាយរបស់ Compton គឺមិនស៊ីសង្វាក់គ្នា ហើយវិទ្យុសកម្មដែលខ្ចាត់ខ្ចាយមិនអាចជ្រៀតជ្រែកបានទេ។ ដូច្នេះហើយ យើងនឹងមិនរស់នៅលើវាទេ ជាពិសេសចាប់តាំងពីការខ្ចាត់ខ្ចាយនេះមិនសំខាន់សម្រាប់វិទ្យុសកម្មទន់ដែលទាក់ទងគ្នាដែលត្រូវបានប្រើក្នុងការវិភាគរចនាសម្ព័ន្ធ និងដំណាក់កាល។

ឥទ្ធិពល photoelectric ។ ដំណើរការនេះកើតឡើងតែនៅក្នុងករណីនៃវិទ្យុសកម្មបឋមរឹង។ ក្នុងករណីនេះ អន្តរកម្មជាមួយអាតូមនៃរូបធាតុ កាំរស្មី X អាចគោះអេឡិចត្រុងចេញពីអាតូម ដោយធ្វើអ៊ីយ៉ូដ។ ជាមួយនឹងថាមពល kinetic ខ្ពស់នៃអេឡិចត្រុងដែលបានបញ្ចេញ ពួកវាអាចក្លាយជាប្រភពនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មី X ដែលមិនមានលក្ខណៈពិសេស។ នោះគឺ ប្រភេទនៃវិទ្យុសកម្មនេះ រួមចំណែកដល់វិទ្យុសកម្មបន្ត (ពណ៌ស) ប៉ុណ្ណោះ។

ការស្រូបចូលសរុបនៃកាំរស្មីអ៊ិចដោយសារធាតុមួយ។

ឆ្លងកាត់រូបធាតុ កាំរស្មី X បណ្តាលឱ្យមានអ៊ីយ៉ូដនៃអាតូម ការរំភើបនៃវិទ្យុសកម្ម fluorescent នៅក្នុងពួកវា និងការបង្កើតអេឡិចត្រុង Auger ។ ដំណើរការទាំងនេះទទួលខុសត្រូវចំពោះការស្រូបយកកាំរស្មីអ៊ិច។ លើសពីនេះទៀតអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីដែលឆ្លងកាត់សារធាតុក្នុងទិសដៅនៃធ្នឹមឧប្បត្តិហេតុមានការថយចុះដោយសារតែការខ្ចាត់ខ្ចាយរបស់វាដោយអេឡិចត្រុងនៃសារធាតុនៅគ្រប់ទិសទី។ ទីបំផុត កាំរស្មី X-ray quanta នៃថាមពលខ្លាំង (ច្រើនជាង 1 MeV) ដែលហោះហើរនៅជិតស្នូល បណ្តាលឱ្យមានរូបរាងនៃគូអេឡិចត្រុង-positron ។ ទាំងអស់នេះកាត់បន្ថយអាំងតង់ស៊ីតេនៃធ្នឹមបញ្ជូនកាន់តែច្រើន ស្រទាប់សារធាតុកាន់តែក្រាស់។

ច្បាប់ទូទៅដែលកំណត់បរិមាណកំណត់ការបន្ថយនៃកាំរស្មីដូចគ្នាណាមួយនៅក្នុងសារធាតុស្រូប អាចត្រូវបានបង្កើតដូចខាងក្រោមៈ

"នៅក្នុងកម្រាស់ស្មើគ្នានៃសារធាតុដូចគ្នា ភាគហ៊ុនស្មើគ្នានៃថាមពលនៃវិទ្យុសកម្មដូចគ្នាត្រូវបានស្រូបយក។"

ប្រសិនបើអាំងតង់ស៊ីតេនៃឧប្បត្តិហេតុកាំរស្មីនៅលើសារធាតុត្រូវបានតាងដោយ I 0 ហើយអាំងតង់ស៊ីតេរបស់ពួកគេបន្ទាប់ពីឆ្លងកាត់ចាននៃសារធាតុស្រូបយកដូចខ្ញុំនោះច្បាប់នេះអាចត្រូវបានបង្ហាញជាទម្រង់ដូចខាងក្រោមៈ

អនុញ្ញាតឱ្យយើងយកអេក្រង់ស្រដៀងគ្នាស្តើងឆ្លងកាត់ដែលធ្នឹម monochromatic ដែលមានផ្នែកឆ្លងកាត់ស្មើនឹងការរួបរួមបាត់បង់ថាមពល dI ។ វាសមាមាត្រទៅនឹងកម្រាស់អេក្រង់ dx និងអាំងតង់ស៊ីតេធ្នឹម I 0 ។ យើងទទួលបានវា៖

dI = − μ I 0 dx

ដែល៖ dx គឺជាកម្រាស់នៃស្រទាប់សារធាតុ;

តម្លៃថេរ μ គឺជាលោការីតធម្មជាតិនៃលេខដែលបង្ហាញពីការថយចុះនៃអាំងតង់ស៊ីតេក្នុងអំឡុងពេលឆ្លងកាត់កាំរស្មីតាមរយៈស្រទាប់នៃសារធាតុដែលបានផ្តល់ឱ្យនៃកម្រាស់ឯកតា:

μ \u003d ln (I 0 / I) (សម្រាប់ dx \u003d 1) ។

មេគុណនេះត្រូវបានគេហៅថា μ - មេគុណស្រូបទាញលីនេអ៊ែរសម្រាប់សារធាតុដែលបានផ្តល់ឱ្យ ឬមេគុណការបន្ថយលីនេអ៊ែរនៃកាំរស្មី។

ការដោះស្រាយសមីការនេះ យើងទទួលបាន៖

ខ្ញុំ \u003d ខ្ញុំ 0 exp (-μ x)

ដែល x គឺជាកម្រាស់នៃស្រទាប់ស្រូបយក។

មេគុណស្រូបយកអាចចាត់ទុកថាជាផលបូកនៃមេគុណស្រូបខាងក្នុងτ និងមេគុណស្រូប σ ។

μ = τ + σ

វាងាយស្រួលជាងក្នុងការប្រើមេគុណស្រូបយកម៉ាស់ ព្រោះមេគុណស្រូបយកលីនេអ៊ែរគឺសមាមាត្រទៅនឹងដង់ស៊ីតេនៃសារធាតុគំរូ។

μ/ρ = τ/ρ + σ/ρ

នៅក្នុងជួររលកនៃការចាប់អារម្មណ៍ចំពោះយើង មេគុណនៃការខ្ចាត់ខ្ចាយដ៏ធំគឺតិចជាងមេគុណស្រូបយកខាងក្នុង τ/ρ ដូច្នេះវាត្រូវបានគេសន្មត់ថា:

ប្រសិនបើសមាសធាតុនៃសារធាតុគំរូត្រូវបានគេស្គាល់នោះ μ/ρអាចត្រូវបានគណនាសម្រាប់វា ដោយដឹងពីខ្លឹមសារនៃសមាសធាតុក្នុងទម្ងន់ (ម៉ាស) ភាគរយ។

មេគុណស្រូបទាញដែលកំពុងពិចារណាគឺអាស្រ័យលើចំនួនអាតូមិកនៃសារធាតុ និងនៅលើរលកកាំរស្មីអ៊ិច។ មានតារាងពិសេស។ ឧទាហរណ៍ ទិន្នន័យទាំងនេះគឺចាំបាច់ដើម្បីកំណត់ជម្រៅនៃការជ្រៀតចូលនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចទៅក្នុងសារធាតុសាកល្បងសម្រាប់ធរណីមាត្រដែលបានផ្តល់ឱ្យនៃរូបភាពកាំរស្មីអ៊ិច។

ឥឡូវនេះសូមមើលថាហេតុអ្វីបានជាវាត្រូវការ។ ស្លាយទី 26 បង្ហាញវិសាលគមស្រូបកាំរស្មីអ៊ិចជានីកែល (ការពឹងផ្អែកនៃមេគុណស្រូប μ/ρ លើរលកកាំរស្មីអ៊ិច)។ វាអាចត្រូវបានគេមើលឃើញថានៅចម្ងាយរលកជាក់លាក់មានការផ្លាស់ប្តូរយ៉ាងខ្លាំងនៅក្នុងតម្លៃនៃមេគុណស្រូបយក។

នៅក្នុងចន្លោះពេលរវាងការលោត មេគុណស្រូបទាញកើនឡើងជាមួយនឹងការកើនឡើងរលក យោងទៅតាមការពឹងផ្អែកប្រហាក់ប្រហែល៖

ដែល៖ k គឺជាមេគុណសមាមាត្រ ហើយ Z គឺជាលេខធម្មតានៃធាតុ។

ប្រវែងរលកដែលត្រូវគ្នានឹងការលោតនៅក្នុងមេគុណស្រូបយកត្រូវបានគេហៅថា គែមនៃក្រុមស្រូបយក។ពួកគេមានរចនាសម្ព័ន្ធល្អ ដែលយើងនឹងមិនពិចារណា។

ដូចដែលបានបញ្ជាក់រួចមកហើយ ការស្រូបកាំរស្មី X ភាគច្រើនគឺដោយសារតែការគោះចេញនៃអេឡិចត្រុងពីសំបកអេឡិចត្រុងខាងក្នុង ឬខាងក្រៅនៃអាតូម។ ប្រសិនបើថាមពលវិទ្យុសកម្មធំជាង ឬស្មើនឹងថាមពលដែលត្រូវការដើម្បីដកអេឡិចត្រុងចេញពីសែលដែលបានផ្តល់ឱ្យនោះ ការស្រូបកើតឡើងដោយសារតែដំណើរការនេះ។ ប្រសិនបើថាមពលវិទ្យុសកម្មមានតិច នោះការស្រូបចូលកើតឡើងដោយចំណាយលើសំបកខាងក្រៅកាន់តែច្រើន។ ដូច្នេះ K-, L-, M- ជាដើមត្រូវបានសម្គាល់។ គែមនៃក្រុមស្រូបយក។

មេគុណ k ក្នុងសមីការខាងលើគឺប្រហែលស្មើនឹង 7x10 -3 សម្រាប់ប្រវែងរលកតូចជាង K-edge នៃក្រុមស្រូបយកសារធាតុដែលកំពុងសិក្សា។ នៅក្នុងចន្លោះពេលរវាងគែម K និង L នៃក្រុមស្រូបយកវាមានប្រហែល 9x10 -4 ។ នោះគឺនៅពេលដែលឆ្លងកាត់គែម K នៃក្រុមស្រូបយក មេគុណស្រូបយកប្រែប្រួលប្រហែល 8 ដង។ នេះគឺជាអ្វីដែលបណ្តាលឱ្យលោតនៅក្នុងវិសាលគម។

វត្តមាននៃការលោតទាំងនេះត្រូវបានគេយកមកពិចារណានៅពេលជ្រើសរើសកាំរស្មីសម្រាប់ការថតរូបកាំរស្មីអ៊ិច។ ការបំភាយកាំរស្មីអ៊ិចបន្ទាប់បន្សំពីគែមនៃក្រុមស្រូបទាញបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងគួរឱ្យកត់សម្គាល់នៅក្នុងផ្ទៃខាងក្រោយនៅលើលំនាំកាំរស្មីអ៊ិច ហើយដូច្នេះវាមិនគួរឱ្យចង់បាន។ ដូច្នេះ វិទ្យុសកម្មត្រូវបានជ្រើសរើសសម្រាប់ការបាញ់ដែលមានចម្ងាយរលកតិចជាង λ គែម ឬធំជាង λ គែម។ (ស្លាយ ២៨ ក និង ខ) ។

វត្តមាននៃគែមស្រូបទាញក៏ត្រូវបានប្រើដើម្បីកាត់បន្ថយវិទ្យុសកម្ម β ផងដែរ។ ដើម្បីធ្វើដូចនេះបន្ទះស្តើងនៃសម្ភារៈដែលមានគែមនៃក្រុមស្រូបយកដែលស្ថិតនៅចន្លោះបន្ទាត់ α និង β នៃវិទ្យុសកម្មដែលបានប្រើត្រូវបានដាក់នៅលើផ្លូវនៃធ្នឹមវិទ្យុសកម្មស៊េរី K ។ (ស្លាយ 28 ឃ) ។

ជាធម្មតា foil នៃធាតុដែលមានលេខស៊េរីមួយតិចជាងលេខសៀរៀល anode អាចត្រូវបានប្រើជាតម្រង។

ប៉ុន្តែ​តាម​ពិត មិនមែន​គ្រប់​យ៉ាង​គឺ​សាមញ្ញ​ពេក​ទេ។ ឧទាហរណ៍ ដើម្បីថតកាំរស្មីអ៊ិចនៃទីតានីញ៉ូមឌីអុកស៊ីត TiO 2 វិទ្យុសកម្មពីបំពង់ម៉ូលីបដិនអាចត្រូវបានប្រើ ចាប់តាំងពីចម្ងាយនៃកាំរស្មីអ៊ិចក្នុងករណីនេះគឺ 0.709 A ពោលគឺតិចជាងគែមនៃក្រុមស្រូបយក។ នៃទីតានីញ៉ូម (2.50 A) ។ នោះគឺយើងអនុវត្តស្ថានភាពនៃទីតាំង (a) នៅលើស្លាយ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយការប្រើបំពង់នេះសម្រាប់ការវិភាគដំណាក់កាលនៃវិទ្យុសកម្មគឺមិនចង់បាន។ ដោយសាររលកតូច ដំណោះស្រាយ និងភាពត្រឹមត្រូវនៃការកំណត់ចម្ងាយ interplanar នឹងមានកម្រិតទាប។ ចំណង់ចំណូលចិត្តគួរតែត្រូវបានផ្តល់ទៅឱ្យវិទ្យុសកម្មដែលមានរលកវែងជាង។ ឧទាហរណ៍ពីបំពង់ស្ពាន់។ រលក CuK α គឺ 1.54A ដែលខ្លីជាងគែមនៃក្រុមស្រូបយកទីតាញ៉ូម។ ក្រដាសនីកែលត្រូវបានប្រើជាតម្រង។ លេខសៀរៀលនៃទង់ដែងគឺ 29 ហើយនីកែលគឺ 28។ ដើម្បីកាត់បន្ថយវិទ្យុសកម្មទីតានីញ៉ូមបន្ទាប់បន្សំ បន្ទះអាលុយមីញ៉ូមក៏ត្រូវបានដាក់នៅលើកំពូលនៃនីកែលផងដែរ។ វិទ្យុសកម្មទីតានីញ៉ូមទន់ជាងនឹងត្រូវបានស្រូបយកខ្លាំងជាងវិទ្យុសកម្មទង់ដែងរឹងជាង។ នោះគឺដំណើរការនៃការជ្រើសរើសរលកនិងសម្ភារៈតម្រងគឺមិនសាមញ្ញទេ។

2. ប្រភពនៃកាំរស្មីអ៊ិច

វិធីសាស្រ្តសំខាន់ៗសម្រាប់ការទទួលបានកាំរស្មីអ៊ិចសម្រាប់ការសិក្សារចនាសម្ព័ន្ធត្រូវបានផ្សារភ្ជាប់ជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ចរន្តអេឡិចត្រុងដែលហោះលឿន។ ឧបករណ៍បង្កើនល្បឿនអេឡិចត្រុង - បេតារ៉ុន និងលីនេអ៊ែរ - ត្រូវបានប្រើដើម្បីផលិតកាំរស្មីអ៊ិចរលកខ្លីដែលមានថាមពលខ្ពស់ដែលត្រូវបានប្រើជាចម្បងក្នុងការរកឃើញកំហុស។

ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ឧបករណ៍បង្កើនល្បឿនអេឡិចត្រុងមានសំពីងសំពោង ពិបាកក្នុងការកែតម្រូវ និងត្រូវបានប្រើជាចម្បងនៅក្នុងការដំឡើងស្ថានី។ ប្រភពទូទៅបំផុតនៃកាំរស្មីអ៊ិចគឺបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច។

យោងតាមគោលការណ៍នៃការទទួលបានធ្នឹមអេឡិចត្រុង បំពង់កាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានបែងចែកទៅជាបំពង់ដែលមាន cathode ក្តៅ (អេឡិចត្រុងឥតគិតថ្លៃកើតឡើងជាលទ្ធផលនៃការបញ្ចេញកំដៅ (រូបភាពទី 3)) និងបំពង់ដែលមាន cathode ត្រជាក់ (អេឡិចត្រុងសេរីកើតឡើងជាលទ្ធផល។ ការបំភាយវាល) ។ បំពង់កាំរស្មីអ៊ិចនៃប្រភេទទាំងពីរអាចត្រូវបានផ្សាភ្ជាប់ជាមួយម៉ាស៊ីនបូមធូលីថេរ និងអាចដកបាន ដោយជម្លៀសចេញដោយម៉ាស៊ីនបូមធូលី។

ទូទៅបំផុតគឺបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច cathode ក្តៅបិទជិត។ ពួកវាមានអំពូលកញ្ចក់មួយ និងអេឡិចត្រូតពីរ - cathode និង anode (រូបភាព 5) ។ ម៉ាស៊ីនបូមធូលីខ្ពស់ (10-7 - 10-8 mm Hg) ត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅក្នុងដបដែលធានានូវចលនាដោយសេរីនៃអេឡិចត្រុងពី cathode ទៅ anode កំដៅ គីមី និងអគ្គិសនីនៃ cathode ក្តៅ។

cathode នៃបំពង់កាំរស្មីអ៊ិចមាន filament និងមួកផ្តោតអារម្មណ៍។ រូបរាងរបស់ filament និង cap ត្រូវបានកំណត់ដោយរូបរាងដែលបានផ្តល់ឱ្យនៃចំនុចប្រសព្វនៅលើ anode នៃបំពង់ - ជុំឬគ្រប់គ្រង។ filament ពីវង់ tungsten ត្រូវបានកំដៅដោយចរន្តអគ្គិសនីរហូតដល់ 2000 - 2200 C; ដើម្បីបង្កើនលក្ខណៈនៃការបំភាយ សរសៃអំបោះត្រូវបានស្រោបដោយសមាសធាតុ thorium ។

វិមាត្រនៃចំនុចប្រសព្វកំណត់លក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិកនៃបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច។ ភាពច្បាស់នៃរូបភាពកំឡុងពេលបញ្ជូន ក៏ដូចជាភាពត្រឹមត្រូវនៃការវិភាគការបំភាយកាំរស្មីអ៊ិចគឺខ្ពស់ជាង ទំហំផ្ដោតកាន់តែតូច។ បំពង់កាំរស្មីអ៊ិចដែលមានទំហំផ្តោតតូចត្រូវបានគេហៅថាបំពង់ផ្តោតអារម្មណ៍ស្រួច។

anode នៃបំពង់កាំរស្មីអ៊ិចគឺជាស៊ីឡាំងទង់ដែងដែលនៅចុងបញ្ចប់នៃកញ្ចក់ anode ត្រូវបានចុច - ចាននៃសម្ភារៈដែលអេឡិចត្រុងថយចុះ។ នៅក្នុងបំពង់កាំរស្មីអ៊ិចសម្រាប់ការបញ្ជូន កញ្ចក់ត្រូវបានផលិតពីសារធាតុ tungsten សម្រាប់ការវិភាគការសាយភាយកាំរស្មីអ៊ិច - ពីលោហៈដែលវិទ្យុសកម្មលក្ខណៈនឹងត្រូវបានប្រើ។ ចុង anode នៅក្នុងបំពង់កាំរស្មី X សម្រាប់ការវិភាគរចនាសម្ព័ន្ធត្រូវបានកាត់នៅមុំជាក់លាក់មួយទៅអ័ក្ស anode (ធ្នឹមអេឡិចត្រុង) ។ នេះត្រូវបានធ្វើដើម្បីទទួលបានធ្នឹមដែលចាកចេញពីបំពង់ជាមួយនឹងអាំងតង់ស៊ីតេអតិបរមា។

នៅពេលដែលអេឡិចត្រុងប៉ះកញ្ចក់ anode ប្រហែល 96% នៃថាមពលរបស់វាត្រូវបានបំលែងទៅជាកំដៅ ដូច្នេះស៊ីឡាំង anode ត្រូវបានត្រជាក់ដោយទឹកហូរ ឬប្រេង។

anode ត្រូវ​បាន​ការពារ​ដោយ​ស្រោប​ទង់ដែង​ពិសេស​ដើម្បី​ចាប់​អេឡិចត្រុង​ដែល​ឆ្លុះ​បញ្ចាំង​ពី anode និង​ការពារ​ពី​កាំរស្មី​អ៊ិច​ដែល​មិន​បាន​ប្រើ។ ករណីនេះមានបង្អួចចេញកាំរស្មីអ៊ិចមួយ ឬច្រើន ដែលបន្ទះស្តើងនៃបេរីលីយ៉ូមត្រូវបានបញ្ចូល ដែលជាក់ស្តែងមិនស្រូបយកកាំរស្មីអ៊ិចដែលបង្កើតនៅក្នុងបំពង់ឡើយ។

ដែនកំណត់ថាមពលនៃបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច P ត្រូវបានកំណត់ដោយថាមពលនៃចរន្តអគ្គិសនីដែលឆ្លងកាត់វា:

ដែល U គឺជាវ៉ុលអតិបរមាដែលបានអនុវត្តទៅបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច; ខ្ញុំគឺជាចរន្តអតិបរមាដែលហូរតាមបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច។

ដែនកំណត់ថាមពលពិតប្រាកដអាស្រ័យលើតំបន់នៃចំនុចប្រសព្វ (ពោលគឺដង់ស៊ីតេថាមពល) សម្ភារៈ anode និងរយៈពេលនៃបំពង់។ ការផ្ទុករយៈពេលខ្លីអាចខ្ពស់ជាងការផ្ទុករយៈពេលវែងដប់ដង។

ជាក់ស្តែង ចរន្តដែលអាចវាស់បានតាមរយៈបំពង់កាំរស្មីអ៊ិច លេចឡើងតែនៅពេលដែលចរន្ត filament ឈានដល់តម្លៃជាក់លាក់មួយ ដែលត្រូវនឹងសីតុណ្ហភាពកំដៅនៃ filament 2000–2100 C (រូបភាព 6 a); ការកើនឡើងនៃចរន្ត filament ធ្វើឱ្យសីតុណ្ហភាពកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង និងចំនួនអេឡិចត្រុងដែលបញ្ចេញដោយ filament (ចរន្តបញ្ចេញ)។ នៅចរន្ត filament ថេរ និងនៅតង់ស្យុងទាប មិនមែនអេឡិចត្រុងបំភាយទាំងអស់ធ្លាក់លើ anode ទេ ប៉ុន្តែមានតែផ្នែកមួយប៉ុណ្ណោះ ដែលធំជាង តង់ស្យុង anode កាន់តែខ្ពស់។ នៅតង់ស្យុងជាក់លាក់មួយដែលអាស្រ័យលើចរន្ត filament អេឡិចត្រុងបំភាយទាំងអស់ធ្លាក់នៅលើ anode (របៀបតិត្ថិភាព) ដូច្នេះការកើនឡើងបន្ថែមទៀតនៃតង់ស្យុង anode មិនបង្កើនចរន្ត anode (វាស្មើនឹងចរន្តបញ្ចេញ) ។ តម្លៃកំណត់នៃចរន្ត anode នេះត្រូវបានគេហៅថា saturation current ហើយវាកាន់តែខ្ពស់ ចរន្ត filament កាន់តែធំ (រូបភាព 6 ខ) ។ បំពង់កាំរស្មីអ៊ិចដំណើរការក្នុងរបៀបតិត្ថិភាពនៅតង់ស្យុង 3-4 ដងខ្ពស់ជាងវ៉ុលបន្ទាប់បន្សំ ពោលគឺចាំបាច់ដើម្បីបង្កើតចរន្តឆ្អែត។ ដូច្នេះចរន្ត anode ត្រូវបានគ្រប់គ្រងលើជួរធំទូលាយដោយផ្លាស់ប្តូរចរន្ត filament បន្តិច។

នៅក្នុងការរចនានៃបំពង់កាំរស្មី X សម្រាប់ការវិភាគរចនាសម្ព័ន្ធជំនួសឱ្យវ៉ុល anode សម្ភារៈនៃកញ្ចក់ anode ត្រូវបានចង្អុលបង្ហាញដែលត្រូវបានប្រើជា Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Mo, Ag, W និងមួយចំនួនផ្សេងទៀត។ លោហធាតុសុទ្ធ។ (ជា​ការ​ពិត​ណាស់​នីមួយៗ​មាន​រលក​វិទ្យុសកម្ម​លក្ខណៈ​ផ្ទាល់​ខ្លួន)។ ឧទហរណ៍ បំពង់ 0.7BSV-2-Co មានថាមពលបន្ត 0.7 kW មានសុវត្ថិភាព រចនាឡើងសម្រាប់ការវិភាគរចនាសម្ព័ន្ធ ទឹកត្រជាក់ ប្រភេទ 2 អាណូត cobalt ។

ការចុះឈ្មោះកាំរស្មីអ៊ិច។

វិធីសាស្ត្រថតរូប ពន្លឺ ពន្លឺ ស្កែន អេឡិចត្រិច និងអ៊ីយ៉ូដ ត្រូវបានប្រើដើម្បីចុះឈ្មោះកាំរស្មីអ៊ិច។

ជាប្រវត្តិសាស្ត្រ វិធីសាស្រ្តដំបូង និងរហូតមកដល់ពេលថ្មីៗនេះ ការប្រើប្រាស់ច្រើនបំផុតគឺវិធីសាស្ត្រថតរូប។

វិធីសាស្រ្តថតរូបនៃការថតកាំរស្មី X ត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនាពេលបច្ចុប្បន្ន។ វាមានភាពរសើប និងឯកសារខ្ពស់ ប៉ុន្តែទាមទារការប្រើប្រាស់សម្ភារៈថតរូបពិសេស និងដំណើរការដ៏លំបាករបស់ពួកគេ។ ខ្សែភាពយន្ត X-ray មានស្រទាប់ emulsion ទ្វេភាគី ដែលមានសារធាតុប្រាក់ bromide ច្រើនជាងសម្ភារៈថតរូបធម្មតា។ សារធាតុ emulsion រូបថតមានគ្រីស្តាល់ AgBr តូច (~ 1 µm) ជាមួយនឹងសារធាតុបន្ថែមនៃស្ពាន់ធ័រក្នុងបរិមាណតិចតួច ដែលបង្កើតឱ្យមានពិការភាពរចនាសម្ព័ន្ធ។ ហេតុដូច្នេះហើយ មានចំណុចកណ្តាលនៃភាពរំជើបរំជួលនៃរូបភាពមិនទាន់ឃើញច្បាស់។ ក្នុងអំឡុងពេលនៃការស្រូបយកកាំរស្មី X quanta ជាមួយនឹងថាមពល ν = ε h នៅក្នុង emulsion ក៏ដូចជានៅក្រោមសកម្មភាពនៃពន្លឺដែលមើលឃើញដំណើរការដំណើរការទៅតាមគ្រោងការណ៍:

AgBr + hv → Ag + Br ។

ការប្រមូលផ្តុំនៃអាតូម 20-100 Ag បង្កើតជាមជ្ឈមណ្ឌលស្ថេរភាពនៃរូបភាពមិនទាន់ឃើញច្បាស់ ដែលអាចត្រូវបានបង្កើតឡើងក្រោមសកម្មភាពរបស់ photoreagent - អ្នកអភិវឌ្ឍន៍។ គ្រីស្តាល់ដែលមានមជ្ឈមណ្ឌលរូបភាពមិនទាន់ឃើញច្បាស់ត្រូវបានកាត់បន្ថយទៅជាប្រាក់លោហធាតុ។ គ្រីស្តាល់ AgBr ដែលមិនមានមជ្ឈមណ្ឌលបែបនេះហើយមិនត្រូវបានកាត់បន្ថយដោយអ្នកអភិវឌ្ឍន៍ត្រូវបានលាងសម្អាតចេញពីសារធាតុ emulsion ជាមួយនឹងដំណោះស្រាយជួសជុល។ ជាលទ្ធផល មានតែគ្រាប់ប្រាក់លោហធាតុប៉ុណ្ណោះ ដែលនៅតែមាននៅលើខ្សែភាពយន្ត។ ចំនួនគ្រាប់ធញ្ញជាតិបែបនេះកំណត់ដង់ស៊ីតេនៃការធ្វើឱ្យខ្មៅនៃសារធាតុ emulsion រូបថតដែលសមាមាត្រទៅនឹងការប៉ះពាល់ - ផលិតផលនៃអាំងតង់ស៊ីតេវិទ្យុសកម្មនិងពេលវេលានៃការប៉ះពាល់។

ការវាយតម្លៃដង់ស៊ីតេនៃការធ្វើឱ្យខ្មៅនៅលើកាំរស្មីត្រូវបានអនុវត្តដោយមើលឃើញ ឬកាន់តែត្រឹមត្រូវដោយប្រើមីក្រូហ្វូតូម៉ែត្រ ដែលអនុញ្ញាតឱ្យអ្នកកត់ត្រា និងគណនាខ្សែកោងការបែងចែកដង់ស៊ីតេនៃការធ្វើឱ្យខ្មៅ។

វិធីសាស្ត្រ luminescent នៃការសង្កេតរូបភាពនៅលើអេក្រង់ភ្លឺ (fluoroscopy) មានផលិតភាពខ្ពស់ ហើយមិនទាមទារថ្លៃដើមនៃសម្ភារៈថតរូបនោះទេ។ វិធីសាស្រ្តនេះត្រូវបានផ្អែកលើ luminescence នៅក្រោមសកម្មភាពនៃកាំរស្មី X នៃសារធាតុមួយចំនួននិងជាពិសេស phosphor - សារធាតុដែលផ្តល់ទិន្នផលខ្ពស់នៃវិទ្យុសកម្មដែលអាចមើលឃើញ (fluorescence) ។

ផូស្វ័រល្អបំផុតដែលមានពន្លឺពណ៌លឿងបៃតងគឺជាល្បាយនៃ 50% ZnS + 50% CdS ។ luminophores ស្រដៀងគ្នានេះត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការផលិតអេក្រង់សម្រាប់ការមើលឃើញរូបភាពនៃកាំរស្មី X (អេក្រង់សម្រាប់ការបញ្ជូននៅក្នុងការរកឃើញកំហុសនិងការធ្វើរោគវិនិច្ឆ័យវេជ្ជសាស្រ្ត) ។ អេក្រង់តូចត្រូវបានប្រើដើម្បីដំឡើងកាមេរ៉ា X-ray និងតម្រឹម goniometers នៃ x-ray diffratometers។ Phosphor CaWO4 (មានពន្លឺពណ៌ខៀវ-ស្វាយ) ត្រូវបានប្រើដើម្បីបង្កើនសកម្មភាពថតរូបនៃកាំរស្មីអ៊ិច។ ដើម្បីធ្វើដូច្នេះ អេក្រង់ត្រូវបានសង្កត់យ៉ាងតឹងរឹងប្រឆាំងនឹងសារធាតុ emulsion នៃខ្សែភាពយន្តថតរូប ដែលធ្វើឱ្យវាអាចធ្វើទៅបានដើម្បីកាត់បន្ថយការប៉ះពាល់យ៉ាងខ្លាំងក្នុងអំឡុងពេលបញ្ជូន (fluorography) ។

ឧបករណ៍វាស់ស្ទង់គឺជាការរួមបញ្ចូលគ្នានៃគ្រីស្តាល់ luminescent (NaI doped ជាមួយ activator ពី thallium Tl) និង photomultiplier tube (PMT) ។

ការជ្រៀតចូលទៅក្នុង scintillator កាំរស្មី X-ray quantum ត្រូវបានស្រូបយកដោយ phosphor ដែលបណ្តាលឱ្យមានការបង្កើត photoelectron ។ ឆ្លងកាត់សារធាតុនៃគ្រីស្តាល់ អេឡិចត្រុងនេះបំលែងអាតូមមួយចំនួនធំ។ អាតូមអ៊ីយ៉ូដ ត្រឡប់ទៅស្ថានភាពស្ថិរភាពវិញ បញ្ចេញហ្វូតុននៃពន្លឺអ៊ុលត្រាវីយូឡេ។ ហ្វូតុងទាំងនេះដែលធ្លាក់នៅលើ PMT photocathode បញ្ចេញអេឡិចត្រុងចេញពីវា ដែលបង្កើនល្បឿននៅក្នុងវាលអគ្គិសនីនៃ photomultiplier ធ្លាក់លើអ្នកបញ្ចេញដំបូង។ អេឡិចត្រុងនីមួយៗគោះអេឡិចត្រុងជាច្រើនចេញពីសម្ភារៈថ្នាំកូត emitter ហើយដំណើរការទាំងមូលត្រូវបានធ្វើម្តងទៀតនៅលើ emitter បន្ទាប់ ហើយដូច្នេះនៅលើ។ PMTs សម័យទំនើបមាន 8 ទៅ 15 ដំណាក់កាល ការកើនឡើងសរុបរបស់ពួកគេឈានដល់ 10 7 - 10 8 ។

វ៉ុល 150-200 វ៉ុលត្រូវបានអនុវត្តទៅដំណាក់កាលនីមួយៗ។ វ៉ុលសរុបនៅលើ PMT 600 គឺ 2000V ។ ជីពចរវ៉ុលលេចឡើងនៅទិន្នផល PMT ដែលសមាមាត្រទៅនឹងថាមពលនៃបរិមាណដែលបានរកឃើញ។ ឧទាហរណ៍សម្រាប់ Kα ទង់ដែង ទំហំនៃជីពចរនេះគឺ 0.01 V. ដូច្នេះដើម្បីចុះឈ្មោះជីពចរបែបនេះ amplifiers ជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃលំដាប់មួយពាន់ត្រូវបានប្រើ។

វិធីសាស្ត្រ electrophotographic (xerography) រក្សាបាននូវគុណសម្បត្តិជាច្រើននៃវិធីសាស្ត្រថតរូប ប៉ុន្តែសន្សំសំចៃជាង។ គោលការណ៍របស់វាគឺដូចគ្នានឹងឧបករណ៍គុណ។ វិធីសាស្រ្តនេះមិនទាន់រកឃើញកម្មវិធីទូលំទូលាយនៅក្នុងការអនុវត្តនៃការសិក្សាតាមលំដាប់នៅឡើយទេ ប៉ុន្តែវាត្រូវបានចាប់ផ្តើមប្រើប្រាស់ដើម្បីដោះស្រាយបញ្ហារកឃើញកំហុស ជាពិសេសនៅក្នុងមីក្រូទស្សន៍អេហ្វិកស្កុប ដោយផ្អែកលើអ្វីដែលគេហៅថាមីក្រូទស្សន៍កាំរស្មីអ៊ិច។

វិធីសាស្ត្រ ionization ធ្វើឱ្យវាអាចវាស់វែងបានយ៉ាងត្រឹមត្រូវនូវអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិច ប៉ុន្តែការវាស់វែងត្រូវបានអនុវត្តលើផ្ទៃតូចមួយ ដែលកំណត់ដោយទំហំនៃបង្អួចបញ្ចូលរបស់បញ្ជរ និងរន្ធសម្រាប់វាស់។ ដូច្នេះ ដើម្បីវាស់ស្ទង់ការចែកចាយលំហនៃអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិច ការស្កេនគឺចាំបាច់ - ការផ្លាស់ទីបញ្ជរលើតំបន់ទាំងមូលនៃមុំបែកខ្ចាត់ខ្ចាយ។

នេះកំណត់ការអនុវត្តវិធីសាស្រ្តក្នុងការរកឃើញកំហុស ដែលវាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយសម្រាប់តែការវាស់កម្រាស់ប៉ុណ្ណោះ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ នៅក្នុងការវិភាគការបំភាយកាំរស្មីអ៊ិច វិធីសាស្ត្រនេះអនុវត្តជំនួសកន្លែងផ្សេងទៀតទាំងអស់ ទោះបីជាត្រូវការប្រើឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកថ្លៃៗក៏ដោយ។

វិធីសាស្រ្ត ionization គឺផ្អែកលើ ionization នៃអាតូមនៃសារធាតុមួយ នៅពេលធ្វើអន្តរកម្មជាមួយ quanta កាំរស្មីអ៊ិច។ ប្រសិនបើ ionization ឧស្ម័នកើតឡើងនៅក្នុងវាលនៃ capacitor ផ្ទះល្វែងបន្ទាប់មក ions ដែលបានបង្កើតឡើងផ្លាស់ទីទៅអេឡិចត្រូតដែលត្រូវគ្នាហើយចរន្តអ៊ីយ៉ុងកើតឡើង។ ជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃកម្លាំងវាលអគ្គិសនីនៅលើចាន capacitor ល្បឿននៃអ៊ីយ៉ុងកើនឡើង ដូច្នេះប្រូបាប៊ីលីតេនៃការបន្សាបរបស់ពួកគេមានការថយចុះនៅពេលដែលអ៊ីយ៉ុងទល់មុខបុកគ្នា ដូច្នេះចរន្តអ៊ីយ៉ុងកើនឡើង (រូបភាព 7) ។ នៅវ៉ុល U > U 1 អព្យាក្រឹតភាពក្លាយជាធ្វេសប្រហែស ហើយចរន្តអ៊ីយ៉ូដឈានដល់តិត្ថិភាព។

ជាមួយនឹងការកើនឡើងបន្ថែមទៀតនៃវ៉ុលទៅ U = U 2 ចរន្តអ៊ីយ៉ុងមិនកើនឡើងទេមានតែល្បឿនអ៊ីយ៉ុងប៉ុណ្ណោះដែលកើនឡើង។ នៅ U > U 2 ល្បឿនអ៊ីយ៉ុងឡើងខ្ពស់ដែលឥទ្ធិពលអ៊ីយ៉ូដនៃម៉ូលេគុលឧស្ម័នកើតឡើង។ Photoelectrons ដែលបង្កើតឡើងកំឡុងពេលអន្តរកម្មនៃវិទ្យុសកម្មជាមួយអាតូមឧស្ម័ន ហើយបាត់បង់ល្បឿនរបស់វាកំឡុងពេលប៉ះទង្គិចគ្នា ប៉ុន្តែត្រូវបានពន្លឿនម្តងទៀត ដោយទទួលបានថាមពល kinetic គ្រប់គ្រាន់ដើម្បីបំលែងឧស្ម័ន និងបង្កើតគូអ៊ីយ៉ុង-អេឡិចត្រុងថ្មី។ ជាលទ្ធផលនៃដំណើរការទាំងនេះ ផលប៉ះពាល់អ៊ីយ៉ូដកើតឡើងម្តងហើយម្តងទៀត ហើយចំនួនអេឡិចត្រុងកើនឡើងដូចជាព្រិលធ្លាក់។ ចរន្តចាប់ផ្តើមកើនឡើងតាមលីនេអ៊ែរជាមួយនឹងការកើនឡើងវ៉ុលដោយសារតែអ្វីដែលគេហៅថាការពង្រីកឧស្ម័ន។ ការកើនឡើងនៅតង់ស្យុងរហូតដល់ U ≤ U 3 អាចឈានដល់ 10 2 -10 4 (ផ្ទៃនៃសមាមាត្រពេញលេញ) ។

នៅក្នុងតំបន់នេះមានពីរប្រភេទនៃការឆក់: ពឹងផ្អែកនិងឯករាជ្យ។ នៅតំបន់ U 2 - U 3 អេឡិចត្រុងរលាយបាត់ភ្លាមៗ ហើយការហូរទឹកឈប់ភ្លាមៗនៅពេលដែលអ៊ីយ៉ុង និងអេឡិចត្រុងទាំងអស់ទៅដល់ cathode និង anode ។ ការហូរទឹករំអិលកើតមានតែដរាបណាវិទ្យុសកម្មចូលក្នុងបញ្ជរ។ នេះគឺជាប្រភេទឯករាជ្យ។

ការកើនឡើងវ៉ុលបន្ថែមទៀតបណ្តាលឱ្យមានការឆក់ដោយខ្លួនឯង។

សម្រាប់ U > U 3 លីនេអ៊ែរនៃការពង្រីកឧស្ម័នត្រូវបានបំពាន (តំបន់នៃសមាមាត្រមិនពេញលេញ) ។ នៅ U > U 4 ការហូរទឹករំអិលកើតឡើង។ ការបង្កើត Avalanche ក៏កើតឡើងនៅក្រោមសកម្មភាពរបស់ photoelectrons ដែលបង្កើតឡើងដោយសារតែឥទ្ធិពល photoelectric នៅ cathode ។ cathode ត្រូវបាន irradiated ជាមួយ វិទ្យុសកម្ម ultraviolet បង្កើតឡើងក្នុងអំឡុងពេល recombination នៃ ions ។ ការហូរចេញភ្លាមៗរាលដាលពាសពេញបរិមាណឧស្ម័នទាំងមូល ហើយមិនចាំបាច់ត្រូវការវិទ្យុសកម្មថ្មីដើម្បីរក្សាវានោះទេ។

ខ្លឹមសារនៃអត្ថបទ

ការស្រូបយកកាំរស្មីអ៊ិចនៅក្នុងសារធាតុ។នៅពេលសិក្សាពីអន្តរកម្មនៃកាំរស្មីអ៊ិចជាមួយនឹងសារធាតុមួយ (រឹង រាវ ឬឧស្ម័ន) អាំងតង់ស៊ីតេនៃវិទ្យុសកម្មដែលបានបញ្ជូន ឬសាយភាយត្រូវបានកត់ត្រាទុក។ អាំងតង់ស៊ីតេនេះគឺអាំងតេក្រាល ហើយត្រូវបានផ្សារភ្ជាប់ជាមួយនឹងដំណើរការអន្តរកម្មផ្សេងៗ។ ដើម្បីបំបែកដំណើរការទាំងនេះពីគ្នាទៅវិញទៅមក ការពឹងផ្អែកលើលក្ខខណ្ឌនៃការពិសោធន៍ និងលក្ខណៈរូបវន្តនៃវត្ថុដែលកំពុងសិក្សាត្រូវបានប្រើប្រាស់។

ឥទ្ធិពលនៃការសាយភាយកាំរស្មីអ៊ិចគឺដោយសារតែកម្លាំងនៃវាលអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចឆ្លាស់គ្នាដែលបង្កើតឡើងដោយកាំរស្មីអ៊ិចធ្វើឱ្យអេឡិចត្រុងនៅក្នុងសម្ភារៈដែលកំពុងសិក្សាមានលំយោល។ អេឡិចត្រុងលំយោលបញ្ចេញកាំរស្មី X នៃរលកដូចគ្នាទៅនឹងកាំរស្មីបឋមខណៈពេលដែលសមាមាត្រនៃថាមពលនៃកាំរស្មីដែលខ្ចាត់ខ្ចាយដោយ 1 ក្រាមនៃសារធាតុទៅនឹងអាំងតង់ស៊ីតេនៃវិទ្យុសកម្មគឺប្រហែល 0.2 ។ មេគុណនេះកើនឡើងបន្តិចសម្រាប់កាំរស្មីអ៊ិចប្រវែងរលកវែង (វិទ្យុសកម្មទន់) និងថយចុះសម្រាប់កាំរស្មីរលកខ្លី (វិទ្យុសកម្មរឹង)។ ក្នុងករណីនេះ កាំរស្មីត្រូវបានខ្ចាត់ខ្ចាយខ្លាំងបំផុតក្នុងទិសដៅនៃឧប្បត្តិហេតុ កាំរស្មីអ៊ិច (និងក្នុងទិសដៅផ្ទុយ) និងខ្សោយបំផុត (ដោយកត្តា 2) ក្នុងទិសដៅកាត់កែងទៅនឹងបឋម។

ឥទ្ធិពល photoelectric កើតឡើងនៅពេលដែលការស្រូបយកកាំរស្មី X ឧប្បត្តិហេតុត្រូវបានអមដោយការបំភាយអេឡិចត្រុង។ បន្ទាប់ពីការច្រានចេញនៃអេឡិចត្រុងខាងក្នុងការវិលត្រឡប់ទៅកាន់ស្ថានភាពស្ថានីកើតឡើង។ ដំណើរការនេះអាចកើតឡើងដោយគ្មានវិទ្យុសកម្មជាមួយនឹងការបញ្ចេញអេឡិចត្រុងទីពីរ (Auger effect) ឬត្រូវបានអមដោយការបញ្ចេញកាំរស្មី X លក្ខណៈនៃអាតូមសម្ភារៈ ( សង់​ទី​ម៉ែ​ត. កាំរស្មីអ៊ិច) ។ ដោយធម្មជាតិរបស់វាបាតុភូតនេះគឺស្រដៀងទៅនឹង fluorescence ។ ពន្លឺកាំរស្មីអ៊ិចអាចកើតឡើងបានលុះត្រាតែវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចលក្ខណៈនៃធាតុមួយត្រូវបានប៉ះពាល់ទៅនឹងរបាំងពីធាតុស្រាលជាង (ជាមួយនឹងលេខអាតូមិកទាបជាង)។

ការស្រូបយកសរុបនៃកាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានកំណត់ដោយការសង្ខេបនៃអន្តរកម្មគ្រប់ប្រភេទដែលធ្វើឱ្យអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិចចុះខ្សោយ។ ដើម្បីវាយតម្លៃការបន្ថយអាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មី X នៅពេលឆ្លងកាត់សារធាតុមួយ មេគុណ attenuation លីនេអ៊ែរត្រូវបានប្រើ ដែលកំណត់លក្ខណៈនៃការថយចុះនៃអាំងតង់ស៊ីតេវិទ្យុសកម្មនៅពេលឆ្លងកាត់ 1 សង់ទីម៉ែត្រនៃសារធាតុ និងស្មើនឹងលោការីតធម្មជាតិនៃសមាមាត្រនៃ អាំងតង់ស៊ីតេនៃឧប្បត្តិហេតុ និងការបញ្ជូនវិទ្យុសកម្ម។ លើសពីនេះទៀតជាលក្ខណៈនៃសមត្ថភាពនៃសារធាតុមួយដើម្បីស្រូបយកវិទ្យុសកម្មឧបទ្ទវហេតុកម្រាស់នៃស្រទាប់ស្រូបយកពាក់កណ្តាលត្រូវបានគេប្រើ, i.e. កម្រាស់នៃស្រទាប់ដែលអាំងតង់ស៊ីតេវិទ្យុសកម្មត្រូវបានកាត់បន្ថយពាក់កណ្តាល។

យន្តការរូបវន្តនៃការសាយភាយកាំរស្មីអ៊ិច និងរូបរាងនៃវិទ្យុសកម្មលក្ខណៈបន្ទាប់បន្សំគឺខុសគ្នា ប៉ុន្តែក្នុងគ្រប់ករណីទាំងអស់ វាអាស្រ័យលើចំនួនអាតូមនៃសារធាតុដែលធ្វើអន្តរកម្មជាមួយកាំរស្មីអ៊ិច ពោលគឺឧ។ លើដង់ស៊ីតេនៃសារធាតុ ដូច្នេះលក្ខណៈសកលនៃការស្រូបចូលគឺមេគុណស្រូបយកម៉ាស់ មេគុណស្រូបយកពិត ដែលទាក់ទងទៅនឹងដង់ស៊ីតេនៃសារធាតុ។

មេគុណស្រូបចូលនៃសារធាតុដូចគ្នាថយចុះជាមួយនឹងការថយចុះនៃរលកកាំរស្មីអ៊ិច ទោះបីជាយ៉ាងណាក៏ដោយ នៅចម្ងាយរលកជាក់លាក់មួយ មានការកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង (លោត) នៅក្នុងមេគុណស្រូបទាញ បន្ទាប់ពីវាបន្តថយចុះ (រូបភព)។ ជាមួយនឹងការលោតមួយមេគុណស្រូបយកកើនឡើងច្រើនដង (ជួនកាលតាមលំដាប់នៃរ៉ិចទ័រ) និងដោយតម្លៃផ្សេងគ្នាសម្រាប់សារធាតុផ្សេងៗគ្នា។ ការកើតឡើងនៃការលោតស្រូបគឺដោយសារតែនៅចម្ងាយរលកជាក់លាក់មួយ កាំរស្មីអ៊ិចលក្ខណៈនៃសារធាតុ irradiated ត្រូវបានរំភើបដែលបង្កើនការបាត់បង់ថាមពលយ៉ាងខ្លាំងក្នុងអំឡុងពេលឆ្លងកាត់វិទ្យុសកម្ម។ នៅក្នុងផ្នែកនីមួយៗនៃខ្សែកោងនៃការពឹងផ្អែកនៃមេគុណស្រូបទាញលើប្រវែងរលក (មុន និងក្រោយការលោតស្រូប) មេគុណស្រូបយកម៉ាស់ប្រែប្រួលតាមសមាមាត្រទៅនឹងគូបនៃរលកកាំរស្មីអ៊ិច និងចំនួនអាតូមិកនៃធាតុគីមី (ឧបសគ្គ។ សម្ភារៈ)។

ជាឧទាហរណ៍ នៅពេលដែលកាំរស្មី X-ray មិនមែន monochromatic ជាឧទាហរណ៍ វិទ្យុសកម្មដែលមានវិសាលគមបន្តឆ្លងកាត់សារធាតុមួយ វិសាលគមនៃមេគុណស្រូបទាញកើតឡើង ខណៈពេលដែលវិទ្យុសកម្មរលកខ្លីត្រូវបានស្រូបខ្សោយជាងវិទ្យុសកម្មរលកវែង ហើយនៅពេលដែលកម្រាស់របាំងកើនឡើង។ មេគុណនៃការស្រូបទាញលទ្ធផលបានខិតជិតតម្លៃលក្ខណៈនៃវិទ្យុសកម្មរលកខ្លី។ ប្រសិនបើសារធាតុមួយមានធាតុគីមីជាច្រើន នោះមេគុណស្រូបយកសរុបអាស្រ័យលើចំនួនអាតូមិកនៃធាតុនីមួយៗ និងបរិមាណនៃធាតុនេះនៅក្នុងសារធាតុ។

ការគណនានៃការស្រូបកាំរស្មីអ៊ិចនៅក្នុងសារធាតុគឺមានសារៈសំខាន់ខ្លាំងណាស់សម្រាប់ការរកឃើញកំហុសកាំរស្មីអ៊ិច។ នៅក្នុងវត្តមាននៃពិការភាព (ឧទាហរណ៍រន្ធញើសឬសែល) នៅក្នុងបន្ទះដែកអាំងតង់ស៊ីតេនៃវិទ្យុសកម្មដែលបានបញ្ជូនកើនឡើងហើយនៅពេលដែលប្តូរពីធាតុធ្ងន់វាថយចុះ។ ដោយដឹងពីតម្លៃនៃមេគុណស្រូបយកវាអាចធ្វើទៅបានដើម្បីគណនាវិមាត្រធរណីមាត្រនៃពិការភាពខាងក្នុង។

តម្រងកាំរស្មីអ៊ិច។

នៅពេលពិនិត្យសម្ភារៈដោយប្រើកាំរស្មី X ការបកស្រាយលទ្ធផលមានភាពស្មុគស្មាញដោយសារវត្តមាននៃរលកចម្ងាយជាច្រើន។ ដើម្បីញែកប្រវែងរលកនីមួយៗ តម្រងកាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានប្រើ ដែលផលិតពីសារធាតុដែលមានមេគុណស្រូបទាញខុសៗគ្នាសម្រាប់ប្រវែងរលកផ្សេងៗគ្នា ដោយប្រើការពិតដែលថាការកើនឡើងនៃរលកវិទ្យុសកម្មត្រូវបានអមដោយការកើនឡើងនៃមេគុណស្រូបយក។ ឧទាហរណ៍ សម្រាប់អាលុយមីញ៉ូម មេគុណស្រូបនៃវិទ្យុសកម្ម X-ray នៃស៊េរី K ពី anode ដែក (l = 1.932 A) គឺធំជាងវិទ្យុសកម្មនៃស៊េរី K ពី anode molybdenum (l = 0.708 A) ហើយជាមួយនឹងកម្រាស់តម្រងអាលុយមីញ៉ូម 0.1 មីលីម៉ែត្រ ការថយចុះនៃវិទ្យុសកម្មពីដែកអ៊ីណុកគឺ 10 ដងច្រើនជាងវិទ្យុសកម្មម៉ូលីបដិន។

វត្តមាននៃការលោតស្រូបនៅលើខ្សែកោងនៃភាពអាស្រ័យនៃមេគុណស្រូបទាញនៅលើរលកចម្ងាយធ្វើឱ្យវាអាចទទួលបានតម្រងស្រូបយកជ្រើសរើសប្រសិនបើប្រវែងរលកនៃវិទ្យុសកម្មដែលបានត្រងស្ថិតនៅដោយផ្ទាល់នៅពីក្រោយការលោតស្រូប។ បែបផែននេះត្រូវបានប្រើដើម្បីត្រងចេញសមាសធាតុ b នៃវិទ្យុសកម្មស៊េរី K ដែលមានអាំងតង់ស៊ីតេខ្សោយជាងសមាសធាតុ a 5 ដង។ ប្រសិនបើអ្នកជ្រើសរើសសម្ភារៈចម្រោះដែលសមស្របដើម្បីឱ្យសមាសធាតុ a និង b ស្ថិតនៅជ្រុងម្ខាងនៃការលោតស្រូប នោះអាំងតង់ស៊ីតេនៃសមាសធាតុ b ថយចុះច្រើនដងទៀត។ ឧទាហរណ៏មួយគឺបញ្ហានៃការត្រង b-វិទ្យុសកម្មនៃទង់ដែង ដែលក្នុងនោះ រលកនៃវិទ្យុសកម្ម a នៃ K-series គឺ 1.539 ហើយ b-radiation គឺ 1.389 A. ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ លើការពឹងផ្អែកនៃមេគុណស្រូបយកនៅលើ ប្រវែងរលក ការលោតស្រូបត្រូវគ្នាទៅនឹងរលកនៃ 1.480 A , i.e. គឺនៅចន្លោះរលកនៃវិទ្យុសកម្ម a និង b នៃទង់ដែង នៅក្នុងតំបន់នៃការលោតស្រូប មេគុណស្រូបយកកើនឡើងដោយកត្តា 8 ដូច្នេះអាំងតង់ស៊ីតេនៃវិទ្យុសកម្ម b គឺតិចជាងដប់ដងនៃអាំងតង់ស៊ីតេនៃវិទ្យុសកម្មមួយ។

នៅពេលដែលកាំរស្មីអ៊ិចធ្វើអន្តរកម្មជាមួយរាងកាយរឹង ការខូចខាតវិទ្យុសកម្មចំពោះរចនាសម្ព័ន្ធអាចកើតឡើងដោយសារតែចលនានៃអាតូម។ ចំណុចកណ្តាលពណ៌លេចឡើងនៅក្នុងគ្រីស្តាល់អ៊ីយ៉ុង បាតុភូតស្រដៀងគ្នានេះត្រូវបានគេសង្កេតឃើញនៅក្នុងវ៉ែនតា ហើយលក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិកមានការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុងប៉ូលីមែរ។ ផលប៉ះពាល់ទាំងនេះត្រូវបានផ្សារភ្ជាប់ជាមួយនឹងការគោះអាតូមចេញពីទីតាំងលំនឹងរបស់ពួកគេនៅក្នុងបន្ទះឈើគ្រីស្តាល់។ ជាលទ្ធផលកន្លែងទំនេរត្រូវបានបង្កើតឡើង - អវត្តមាននៃអាតូមនៅក្នុងទីតាំងលំនឹងនៅក្នុងបន្ទះឈើគ្រីស្តាល់និងអាតូម interstitial ដែលស្ថិតនៅក្នុងទីតាំងលំនឹងនៅក្នុងបន្ទះឈើ។ ឥទ្ធិពលនៃការលាបពណ៌គ្រីស្តាល់ និងកញ្ចក់ក្រោមសកម្មភាពនៃកាំរស្មីអ៊ិចគឺអាចបញ្ច្រាស់បាន ហើយក្នុងករណីភាគច្រើនបាត់នៅពេលកំដៅ ឬការប៉ះពាល់យូរ។ ការផ្លាស់ប្តូរលក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិកនៃសារធាតុប៉ូលីម៊ែរ ក្រោមវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិច ត្រូវបានផ្សារភ្ជាប់ជាមួយនឹងការបំបែកចំណងអន្តរអាតូមិច។

ទិសដៅសំខាន់ក្នុងការសិក្សាអំពីអន្តរកម្មនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចជាមួយនឹងតួរឹងគឺការវិភាគការសាយភាយកាំរស្មីអ៊ិច ដែលត្រូវបានប្រើដើម្បីសិក្សាការរៀបចំអាតូមនៅក្នុងរាងកាយរឹង និងការផ្លាស់ប្តូររបស់វាក្រោមឥទ្ធិពលខាងក្រៅ។

កាំរស្មីអ៊ិច (មានន័យដូចនឹងកាំរស្មីអ៊ិច) មានជួររលកធំទូលាយ (ពី 8·10 -6 ទៅ 10 -12 សង់ទីម៉ែត្រ)។ កាំរស្មីអ៊ិចកើតឡើងនៅពេលដែលភាគល្អិតដែលត្រូវបានចោទប្រកាន់ ដែលភាគច្រើនជាញឹកញាប់អេឡិចត្រុងថយចុះនៅក្នុងវាលអគ្គិសនីនៃអាតូមនៃសារធាតុមួយ។ quanta លទ្ធផលមានថាមពលខុសៗគ្នា ហើយបង្កើតជាវិសាលគមបន្ត។ ថាមពល photon អតិបរមានៅក្នុងវិសាលគមបែបនេះគឺស្មើនឹងថាមពលនៃអេឡិចត្រុងដែលកើតឡើង។ នៅក្នុង (សូមមើល) ថាមពលអតិបរិមានៃកាំរស្មីអ៊ិច quanta ដែលបង្ហាញជាគីឡូអេឡិចត្រុងវ៉ុលគឺស្មើនឹងទំហំនៃវ៉ុលដែលបានអនុវត្តចំពោះបំពង់ដែលបង្ហាញជាគីឡូវ៉ុល។ នៅពេលឆ្លងកាត់សារធាតុមួយ កាំរស្មី X មានអន្តរកម្មជាមួយអេឡិចត្រុងនៃអាតូមរបស់វា។ សម្រាប់កាំរស្មី X-ray quanta ដែលមានថាមពលរហូតដល់ 100 keV ប្រភេទនៃអន្តរកម្មដែលមានលក្ខណៈពិសេសបំផុតគឺឥទ្ធិពល photoelectric ។ ជាលទ្ធផលនៃអន្តរកម្មបែបនេះ ថាមពល quantum ត្រូវបានចំណាយទាំងស្រុងលើការដកអេឡិចត្រុងចេញពីសែលអាតូម ហើយផ្តល់ថាមពល kinetic ទៅវា។ ជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃថាមពលនៃ quantum កាំរស្មីអ៊ិច ប្រូបាប៊ីលីតេនៃឥទ្ធិពល photoelectric ថយចុះ ហើយដំណើរការនៃការខ្ចាត់ខ្ចាយនៃ quanta លើអេឡិចត្រុងសេរីក្លាយជាលេចធ្លោ - អ្វីដែលគេហៅថាឥទ្ធិពល Compton ។ ជាលទ្ធផលនៃអន្តរកម្មបែបនេះ អេឡិចត្រុងបន្ទាប់បន្សំក៏ត្រូវបានបង្កើតឡើងដែរ ហើយលើសពីនេះទៅទៀត quantum មួយហោះចេញជាមួយនឹងថាមពលទាបជាងថាមពលនៃ quantum បឋម។ ប្រសិនបើថាមពលនៃ quantum កាំរស្មីអ៊ិចលើសពីមួយ megaelectron-volt ឥទ្ធិពលនៃការផ្គូផ្គងអាចកើតឡើង ដែលអេឡិចត្រុង និង positron ត្រូវបានបង្កើតឡើង (សូមមើល) ។ ជាលទ្ធផល នៅពេលឆ្លងកាត់សារធាតុមួយ ថាមពលនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចថយចុះ ពោលគឺ អាំងតង់ស៊ីតេរបស់វាថយចុះ។ ដោយសារ quanta ថាមពលទាបទំនងជាត្រូវបានស្រូបចូលក្នុងករណីនេះ វិទ្យុសកម្ម X-ray ត្រូវបានសំបូរទៅដោយ quanta ថាមពលខ្ពស់ជាង។ ទ្រព្យសម្បត្តិនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចនេះត្រូវបានប្រើដើម្បីបង្កើនថាមពលជាមធ្យមនៃ quanta ពោលគឺ បង្កើនភាពរឹងរបស់វា។ ការកើនឡើងនៃភាពរឹងនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានសម្រេចដោយប្រើតម្រងពិសេស (សូមមើល) ។ កាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការធ្វើរោគវិនិច្ឆ័យដោយកាំរស្មីអ៊ិច (សូមមើល) និង (សូមមើល) ។ សូមមើលផងដែរ វិទ្យុសកម្មអ៊ីយ៉ូដ។

វិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិច (មានន័យដូច: កាំរស្មីអ៊ិច, កាំរស្មីអ៊ិច) - វិទ្យុសកម្មអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចដែលមានរលកពន្លឺពី 250 ទៅ 0.025 A (ឬថាមពល quanta ពី 5 10 -2 ដល់ 5 10 2 keV) ។ នៅឆ្នាំ 1895 វាត្រូវបានរកឃើញដោយ V.K. Roentgen ។ តំបន់វិសាលគមនៃវិទ្យុសកម្មអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចដែលនៅជាប់នឹងកាំរស្មីអ៊ិចដែលបរិមាណថាមពលលើសពី 500 keV ត្រូវបានគេហៅថាវិទ្យុសកម្មហ្គាម៉ា (សូមមើល); វិទ្យុសកម្មដែលបរិមាណថាមពលរបស់វាទាបជាង 0.05 keV គឺជាវិទ្យុសកម្មអ៊ុលត្រាវីយូឡេ (សូមមើល)។

ដូច្នេះតំណាងឱ្យផ្នែកតូចមួយនៃវិសាលគមដ៏ធំនៃវិទ្យុសកម្មអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចដែលរួមមានទាំងរលកវិទ្យុ និងពន្លឺដែលអាចមើលឃើញ វិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចដូចជាវិទ្យុសកម្មអេឡិចត្រូម៉ាញេទិករីករាលដាលនៅល្បឿននៃពន្លឺ (ប្រហែល 300 ពាន់គីឡូម៉ែត្រ / វិនាទីនៅក្នុងកន្លែងទំនេរ។ ) និងត្រូវបានកំណត់ដោយប្រវែងរលក λ (ចម្ងាយដែលវិទ្យុសកម្មរីករាលដាលក្នុងរយៈពេលមួយនៃការយោល)។ វិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចក៏មានលក្ខណៈសម្បត្តិរលកមួយចំនួនផ្សេងទៀត (ចំណាំងផ្លាត ការជ្រៀតជ្រែក ការបង្វែរ) ប៉ុន្តែវាពិបាកក្នុងការសង្កេតមើលពួកវាជាងវិទ្យុសកម្មប្រវែងវែងជាង៖ ពន្លឺដែលអាចមើលឃើញ រលកវិទ្យុ។

វិសាលគមកាំរស្មីអ៊ិច: a1 - វិសាលគម bremsstrahlung បន្តនៅ 310 kV; a - វិសាលគម bremsstrahlung បន្តនៅ 250 kV, a1 - វិសាលគមត្រងដោយ 1 mm Cu, a2 - វិសាលគមត្រងដោយ 2 mm Cu, b - K-series នៃបន្ទាត់ tungsten ។

ដើម្បីបង្កើតកាំរស្មីអ៊ិច បំពង់កាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានប្រើ (សូមមើល) ដែលវិទ្យុសកម្មកើតឡើងនៅពេលដែលអេឡិចត្រុងលឿនធ្វើអន្តរកម្មជាមួយអាតូមនៃសារធាតុ anode ។ កាំរស្មីអ៊ិចមានពីរប្រភេទគឺ bremsstrahlung និងលក្ខណៈ។ វិទ្យុសកម្ម Bremsstrahlung X-ray ដែលមានវិសាលគមបន្តគឺស្រដៀងទៅនឹងពន្លឺពណ៌សធម្មតា។ ការចែកចាយអាំងតង់ស៊ីតេអាស្រ័យលើរលក (រូបភព) ត្រូវបានតំណាងដោយខ្សែកោងដែលមានអតិបរមា; ក្នុងទិសដៅនៃរលកវែង ខ្សែកោងធ្លាក់ចុះយ៉ាងទន់ភ្លន់ ហើយក្នុងទិសដៅនៃរលកខ្លី វាចោត ហើយដាច់នៅចម្ងាយរលកជាក់លាក់មួយ (λ0) ដែលហៅថាព្រំដែនរលកខ្លីនៃវិសាលគមបន្ត។ តម្លៃ λ0 គឺសមាមាត្រច្រាសទៅនឹងវ៉ុលនៅលើបំពង់។ Bremsstrahlung កើតឡើងពីអន្តរកម្មនៃអេឡិចត្រុងលឿនជាមួយស្នូលអាតូមិច។ អាំងតង់ស៊ីតេ bremsstrahlung គឺសមាមាត្រដោយផ្ទាល់ទៅនឹងកម្លាំងនៃចរន្ត anode ការ៉េនៃតង់ស្យុងបំពង់ និងចំនួនអាតូមិក (Z) នៃវត្ថុធាតុ anode ។

ប្រសិនបើថាមពលនៃអេឡិចត្រុងបង្កើនល្បឿននៅក្នុងបំពង់កាំរស្មីអ៊ិចលើសពីតម្លៃសំខាន់សម្រាប់សារធាតុ anode (ថាមពលនេះត្រូវបានកំណត់ដោយវ៉ុលបំពង់ Vcr ដែលមានសារៈសំខាន់សម្រាប់សារធាតុនេះ) បន្ទាប់មកវិទ្យុសកម្មលក្ខណៈកើតឡើង។ វិសាលគមលក្ខណៈគឺបន្ទាត់ បន្ទាត់វិសាលគមរបស់វាបង្កើតជាស៊េរី តំណាងដោយអក្សរ K, L, M, N ។

ស៊េរី K គឺជារលកខ្លីបំផុត ស៊េរី L គឺរលកវែងជាង ស៊េរី M និង N ត្រូវបានគេសង្កេតឃើញតែនៅក្នុងធាតុធ្ងន់ប៉ុណ្ណោះ (Vcr នៃ tungsten សម្រាប់ស៊េរី K គឺ 69.3 kv សម្រាប់ស៊េរី L - 12.1 kv) ។ លក្ខណៈវិទ្យុសកម្មកើតឡើងដូចខាងក្រោម។ អេឡិចត្រុងលឿនគោះអេឡិចត្រុងអាតូមចេញពីសំបកខាងក្នុង។ អាតូមរំភើប ហើយបន្ទាប់មកត្រឡប់ទៅសភាពដីវិញ។ ក្នុងករណីនេះ អេឡិចត្រុងពីខាងក្រៅសែលដែលចងតិច បំពេញចន្លោះទំនេរនៅក្នុងសែលខាងក្នុង ហើយហ្វូតុននៃវិទ្យុសកម្មលក្ខណៈដែលមានថាមពលស្មើនឹងភាពខុសគ្នារវាងថាមពលនៃអាតូមនៅក្នុងស្ថានភាពរំភើប និងដីត្រូវបានបញ្ចេញ។ ភាពខុសគ្នានេះ (ហេតុដូច្នេះហើយថាមពលនៃហ្វូតុន) មានតម្លៃជាក់លាក់ លក្ខណៈនៃធាតុនីមួយៗ។ បាតុភូតនេះបង្កប់នូវការវិភាគកាំរស្មីអ៊ិចនៃធាតុ។ តួលេខនេះបង្ហាញពីវិសាលគមបន្ទាត់នៃ tungsten ប្រឆាំងនឹងផ្ទៃខាងក្រោយនៃវិសាលគមបន្តនៃ bremsstrahlung ។

ថាមពលនៃអេឡិចត្រុងបង្កើនល្បឿននៅក្នុងបំពង់កាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានបំប្លែងស្ទើរតែទាំងស្រុងទៅជាថាមពលកំដៅ (អាណូតត្រូវបានកំដៅខ្លាំងក្នុងករណីនេះ) មានតែផ្នែកដែលមិនសំខាន់ (ប្រហែល 1% នៅវ៉ុលជិត 100 kV) ត្រូវបានបំប្លែងទៅជាថាមពល bremsstrahlung ។ .

ការប្រើប្រាស់កាំរស្មីអ៊ិចក្នុងវេជ្ជសាស្ត្រគឺផ្អែកលើច្បាប់នៃការស្រូបកាំរស្មីអ៊ិចដោយរូបធាតុ។ ការស្រូបយកកាំរស្មីអ៊ិចគឺឯករាជ្យទាំងស្រុងនៃលក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិកនៃសម្ភារៈស្រូបយក។ កញ្ចក់នាំមុខគ្មានពណ៌ និងថ្លាដែលប្រើដើម្បីការពារបុគ្គលិកនៅក្នុងបន្ទប់កាំរស្មីអ៊ិចស្រូបកាំរស្មីអ៊ិចស្ទើរតែទាំងស្រុង។ ផ្ទុយ​ទៅ​វិញ សន្លឹក​ក្រដាស​ដែល​មិន​ថ្លា​ទៅ​នឹង​ពន្លឺ មិន​បន្ថយ​កាំរស្មី X ឡើយ។

អាំងតង់ស៊ីតេនៃកាំរស្មីអ៊ិចដូចគ្នា (ឧទាហរណ៍ ប្រវែងរលកជាក់លាក់) កាំរស្មីអ៊ិច នៅពេលឆ្លងកាត់ស្រទាប់ស្រូបទាញ ថយចុះយោងទៅតាមច្បាប់អិចស្ប៉ូណង់ស្យែល (e-x) ដែល អ៊ី ជាមូលដ្ឋាននៃលោការីតធម្មជាតិ (2.718) និងនិទស្សន្ត x គឺស្មើនឹងផលគុណនៃមេគុណរំកិលម៉ាស់ (μ/p) cm 2/g ក្នុងមួយកម្រាស់ស្រូបក្នុង g/cm 2 (នៅទីនេះ p គឺជាដង់ស៊ីតេនៃសារធាតុក្នុង g/cm 3)។ កាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានកាត់បន្ថយដោយការខ្ចាត់ខ្ចាយ និងការស្រូបចូល។ ដូច្នោះហើយ មេគុណកាត់បន្ថយម៉ាស់ គឺជាផលបូកនៃមេគុណនៃការស្រូប និងបែកខ្ចាត់ខ្ចាយ។ មេគុណស្រូបយកម៉ាស់កើនឡើងយ៉ាងខ្លាំងជាមួយនឹងការកើនឡើងចំនួនអាតូមិក (Z) នៃឧបករណ៍ស្រូបយក (សមាមាត្រទៅនឹង Z3 ឬ Z5) និងជាមួយនឹងការកើនឡើងរលក (សមាមាត្រទៅλ3) ។ ការពឹងផ្អែកនេះលើប្រវែងរលកត្រូវបានគេសង្កេតឃើញនៅក្នុងក្រុមស្រូបយក, នៅព្រំដែនដែលមេគុណបង្ហាញលោត។

មេគុណនៃការខ្ចាត់ខ្ចាយម៉ាស់កើនឡើងជាមួយនឹងការកើនឡើងចំនួនអាតូមនៃសារធាតុ។ សម្រាប់ λ≥0,3Å មេគុណនៃការខ្ចាត់ខ្ចាយមិនអាស្រ័យលើប្រវែងរលកទេ សម្រាប់ λ<0,ЗÅ он уменьшается с уменьшением λ.

ការថយចុះនៃមេគុណនៃការស្រូប និងការបែកខ្ចាត់ខ្ចាយ ជាមួយនឹងការថយចុះនៃរលកពន្លឺ បណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងនៃថាមពលជ្រៀតចូលនៃកាំរស្មីអ៊ិច។ មេគុណស្រូបយកម៉ាសសម្រាប់ឆ្អឹង [ការស្រូបចូលជាចម្បងដោយសារ Ca 3 (PO 4) 2] គឺធំជាងជាលិកាទន់ជិត 70 ដង ដែលការស្រូបចូលគឺភាគច្រើនដោយសារទឹក។ នេះពន្យល់ពីមូលហេតុដែលស្រមោលនៃឆ្អឹងលេចចេញយ៉ាងខ្លាំងនៅលើរូបភាពវិទ្យុសកម្មប្រឆាំងនឹងផ្ទៃខាងក្រោយនៃជាលិកាទន់។

ការសាយភាយនៃកាំរស្មីអ៊ិចមិនដូចគ្នាតាមរយៈឧបករណ៍ផ្ទុកណាមួយ រួមជាមួយនឹងការថយចុះនៃអាំងតង់ស៊ីតេ ត្រូវបានអមដោយការផ្លាស់ប្តូរសមាសភាពវិសាលគម ការផ្លាស់ប្តូរគុណភាពនៃវិទ្យុសកម្ម៖ ផ្នែករលកវែងនៃវិសាលគមត្រូវបានស្រូបទៅ វិសាលភាពធំជាងផ្នែករលកខ្លី វិទ្យុសកម្មកាន់តែមានឯកសណ្ឋាន។ ការត្រងផ្នែករលកវែងនៃវិសាលគមធ្វើឱ្យវាអាចធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវសមាមាត្ររវាងកម្រិតជ្រៅ និងផ្ទៃក្នុងអំឡុងពេលការព្យាបាលដោយកាំរស្មីអ៊ិចនៃ foci ដែលមានទីតាំងនៅជ្រៅក្នុងរាងកាយមនុស្ស (សូមមើលតម្រងកាំរស្មីអ៊ិច) ។ ដើម្បីកំណត់លក្ខណៈគុណភាពនៃកាំរស្មីអ៊ិចដែលមិនស្មើគ្នា គោលគំនិតនៃ "ស្រទាប់កាត់បន្ថយពាក់កណ្តាល (L)" ត្រូវបានប្រើ - ស្រទាប់នៃសារធាតុដែលកាត់បន្ថយវិទ្យុសកម្មពាក់កណ្តាល។ កម្រាស់នៃស្រទាប់នេះអាស្រ័យលើវ៉ុលនៅលើបំពង់កម្រាស់និងសម្ភារៈនៃតម្រង។ Cellophane (រហូតដល់ថាមពល 12 keV) អាលុយមីញ៉ូម (20–100 keV) ទង់ដែង (60–300 keV) សំណ និងទង់ដែង (> 300 keV) ត្រូវបានប្រើដើម្បីវាស់ស្រទាប់ពាក់កណ្តាលកាត់បន្ថយ។ សម្រាប់កាំរស្មីអ៊ិចដែលបង្កើតនៅវ៉ុល 80-120 kV ទង់ដែង 1 មីលីម៉ែត្រស្មើនឹង 26 មីលីម៉ែត្រនៃអាលុយមីញ៉ូម 1 មីលីម៉ែត្រនៃសំណគឺស្មើនឹង 50.9 មីលីម៉ែត្រនៃអាលុយមីញ៉ូម។

ការស្រូបនិងការខ្ចាត់ខ្ចាយនៃកាំរស្មីអ៊ិចគឺដោយសារតែលក្ខណៈសម្បត្តិរាងកាយរបស់វា; កាំរស្មីអ៊ិចមានអន្តរកម្មជាមួយអាតូមជាស្ទ្រីមនៃសារពាង្គកាយ (ភាគល្អិត) - ហ្វូតុនដែលនីមួយៗមានថាមពលជាក់លាក់ (សមាមាត្របញ្ច្រាសទៅនឹងរលកនៃកាំរស្មីអ៊ិច) ។ ជួរថាមពលនៃ photons កាំរស្មីអ៊ិចគឺ 0.05-500 keV ។

ការស្រូបវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចគឺដោយសារតែឥទ្ធិពល photoelectric: ការស្រូបយក photon ដោយសែលអេឡិចត្រុងត្រូវបានអមដោយការច្រានចេញនៃអេឡិចត្រុងមួយ។ អាតូម​រំភើប ហើយ​ត្រឡប់​ទៅ​សភាព​ដី បញ្ចេញ​វិទ្យុសកម្ម​លក្ខណៈ។ សារធាតុ photoelectron ដែលបញ្ចេញនោះ ដកថាមពលទាំងអស់របស់ photon (ដកថាមពលភ្ជាប់នៃអេឡិចត្រុងនៅក្នុងអាតូម)។

ការខ្ចាត់ខ្ចាយនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចគឺដោយសារតែអេឡិចត្រុងនៃឧបករណ៍ផ្ទុកដែលខ្ចាត់ខ្ចាយ។ មានការខ្ចាត់ខ្ចាយបែបបុរាណ (រលកនៃវិទ្យុសកម្មមិនផ្លាស់ប្តូរទេប៉ុន្តែទិសដៅនៃការផ្លាស់ប្តូរការសាយភាយ) និងការខ្ចាត់ខ្ចាយជាមួយនឹងការផ្លាស់ប្តូរនៃរលក - ឥទ្ធិពល Compton (រលកនៃវិទ្យុសកម្មដែលខ្ចាត់ខ្ចាយគឺធំជាងឧប្បត្តិហេតុមួយ) ។ ក្នុងករណីចុងក្រោយ ហ្វូតុនមានឥរិយាបទដូចបាល់ដែលផ្លាស់ទី ហើយការបែកខ្ចាត់ខ្ចាយនៃហ្វូតុងកើតឡើង យោងទៅតាមការបង្ហាញន័យធៀបរបស់ Comnton ដូចជាល្បែងប៊ីយ៉ាជាមួយហ្វូតុង និងអេឡិចត្រុង៖ ប៉ះទង្គិចជាមួយអេឡិចត្រុង ហ្វូតុងផ្ទេរផ្នែកនៃថាមពលរបស់វា ទៅវា ហើយខ្ចាត់ខ្ចាយ ដោយមានថាមពលតិចជាងមុន (រៀងគ្នា រលកនៃវិទ្យុសកម្មដែលបែកខ្ចាត់ខ្ចាយកើនឡើង) អេឡិចត្រុងហោះចេញពីអាតូមជាមួយនឹងថាមពលរំកិល (អេឡិចត្រុងទាំងនេះត្រូវបានគេហៅថា អេឡិចត្រុង Compton ឬអេឡិចត្រុងវិល)។ ការស្រូបយកថាមពលកាំរស្មីអ៊ិចកើតឡើងក្នុងអំឡុងពេលនៃការបង្កើតអេឡិចត្រុងបន្ទាប់បន្សំ (Compton និង photoelectrons) និងការផ្ទេរថាមពលទៅឱ្យពួកគេ។ ថាមពលនៃកាំរស្មីអ៊ិចដែលផ្ទេរទៅម៉ាស់ឯកតានៃសារធាតុកំណត់កម្រិតស្រូបយកនៃកាំរស្មីអ៊ិច។ ឯកតានៃដូសនេះ 1 rad ត្រូវគ្នាទៅនឹង 100 erg/g ។ ដោយសារតែការស្រូបយកថាមពលនៅក្នុងសារធាតុនៃសារធាតុស្រូបយក ដំណើរការបន្ទាប់បន្សំមួយចំនួនកើតឡើងដែលមានសារៈសំខាន់សម្រាប់ dosimetry កាំរស្មីអ៊ិច ព្រោះវាស្ថិតនៅលើពួកវាដែលវិធីសាស្ត្រវាស់វែងកាំរស្មីអ៊ិចត្រូវបានផ្អែកលើ។ (សូមមើល Dosimetry) ។

ឧស្ម័នទាំងអស់ និងវត្ថុរាវជាច្រើន សារធាតុ semiconductors និង dielectrics នៅក្រោមសកម្មភាពនៃកាំរស្មី X បង្កើនចរន្តអគ្គិសនី។ ចរន្តអគ្គីសនីត្រូវបានរកឃើញដោយសម្ភារៈអ៊ីសូឡង់ល្អបំផុត: ប៉ារ៉ាហ្វីន, មីកា, កៅស៊ូ, amber ។ ការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុង conductivity គឺដោយសារតែការ ionization នៃឧបករណ៍ផ្ទុកពោលគឺការបំបែកនៃម៉ូលេគុលអព្យាក្រឹតទៅជា ions វិជ្ជមាននិងអវិជ្ជមាន (ionization ត្រូវបានផលិតដោយអេឡិចត្រុងបន្ទាប់បន្សំ) ។ អ៊ីយ៉ូដនៅក្នុងខ្យល់ត្រូវបានប្រើដើម្បីកំណត់កម្រិតនៃការប៉ះពាល់នៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិច (កម្រិតនៅក្នុងខ្យល់) ដែលត្រូវបានវាស់ជា roentgens (សូមមើលកម្រិតវិទ្យុសកម្មអ៊ីយ៉ូដ)។ នៅដូសនៃ 1 r ដូសស្រូបក្នុងខ្យល់គឺ 0.88 rad ។

នៅក្រោមសកម្មភាពនៃកាំរស្មីអ៊ិចដែលជាលទ្ធផលនៃការរំភើបនៃម៉ូលេគុលនៃសារធាតុមួយ (និងក្នុងអំឡុងពេលនៃការបញ្ចូលគ្នានៃអ៊ីយ៉ុង) ក្នុងករណីជាច្រើនពន្លឺដែលអាចមើលឃើញនៃសារធាតុត្រូវបានរំភើប។ នៅអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់នៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិច ពន្លឺដែលអាចមើលឃើញនៃខ្យល់ ក្រដាស ប៉ារ៉ាហ្វីនជាដើមត្រូវបានអង្កេត (លោហៈគឺជាករណីលើកលែង)។ ទិន្នផលខ្ពស់បំផុតនៃពន្លឺដែលអាចមើលឃើញគឺត្រូវបានផ្តល់ដោយផូស្វ័រគ្រីស្តាល់ដូចជា Zn·CdS·Ag-phosphorus និងផ្សេងទៀតដែលប្រើសម្រាប់អេក្រង់ក្នុង fluoroscopy ។

នៅក្រោមសកម្មភាពនៃកាំរស្មីអ៊ិច ដំណើរការគីមីផ្សេងៗក៏អាចកើតឡើងនៅក្នុងសារធាតុមួយដែរ៖ ការបំបែកសារធាតុប្រាក់ (ឥទ្ធិពលថតរូបដែលប្រើក្នុងកាំរស្មីអ៊ិច) ការរលួយនៃទឹក និងដំណោះស្រាយ aqueous នៃអ៊ីដ្រូសែន peroxide ការផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុង លក្ខណៈសម្បត្តិនៃ celluloid (ពពកនិងការបញ្ចេញ camphor), ប្រេងប៉ារាហ្វីន (ពពកនិង bleaching) ។

ជាលទ្ធផលនៃការបំប្លែងពេញលេញ ថាមពលកាំរស្មីអ៊ិចទាំងអស់ដែលស្រូបយកដោយសារធាតុអសកម្មគីមីត្រូវបានបំប្លែងទៅជាកំដៅ។ ការវាស់ស្ទង់កំដៅក្នុងបរិមាណតិចតួចបំផុត ទាមទារវិធីសាស្ត្រដែលមានភាពរសើបខ្លាំង ប៉ុន្តែជាវិធីសាស្ត្រសំខាន់សម្រាប់ការវាស់វែងដាច់ខាតនៃកាំរស្មីអ៊ិច។

ឥទ្ធិពលជីវសាស្រ្តបន្ទាប់បន្សំពីការប៉ះពាល់នឹងកាំរស្មីអ៊ិចគឺជាមូលដ្ឋាននៃការព្យាបាលដោយវិទ្យុសកម្មវេជ្ជសាស្រ្ត (សូមមើល) ។ កាំរស្មីអ៊ិច, បរិមាណនៃ 6-16 keV (ប្រវែងរលកមានប្រសិទ្ធិភាពពី 2 ទៅ 5 Å) ត្រូវបានស្រូបយកស្ទើរតែទាំងស្រុងដោយ integument ស្បែកនៃជាលិកានៃរាងកាយរបស់មនុស្ស; ពួកវាត្រូវបានគេហៅថាកាំរស្មីព្រំដែន ឬជួនកាលកាំរស្មី Bucca (សូមមើលកាំរស្មី Bucca) ។ សម្រាប់ការព្យាបាលដោយកាំរស្មីអ៊ិចជ្រៅ កាំរស្មីរឹងដែលត្រងដោយថាមពលមានប្រសិទ្ធភាពពី 100 ទៅ 300 keV ត្រូវបានប្រើ។

ឥទ្ធិពលជីវសាស្រ្តនៃវិទ្យុសកម្មកាំរស្មីអ៊ិចគួរតែត្រូវបានគេគិតគូរមិនត្រឹមតែក្នុងការព្យាបាលដោយកាំរស្មីអ៊ិចប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែវាក៏មាននៅក្នុងការវិនិច្ឆ័យដោយកាំរស្មីអ៊ិច ក៏ដូចជាករណីផ្សេងទៀតនៃការទាក់ទងជាមួយកាំរស្មីអ៊ិចដែលតម្រូវឱ្យប្រើការការពារវិទ្យុសកម្ម ( មើល)